High electron mobility transistors; Metal oxide semiconductors; Aluminum gallium nitrides; Dielectrics; Field effect transistors; Interfaces; Nanotechnology; Power efficient system-on-chip; In situ atomic layer deposition; Pe61102;
机译:使用GaN盖层作为凹槽掩模演示常关凹槽栅极式AlGaN / GaN MOSFET
机译:脱位坑对电子模式嵌入式栅极Al2O3 / GaN MOSFET的界面性能和界面质量劣化的影响
机译:在硅衬底上生长有AlSiC的GaN缓冲层上制备的全凹入式AlGaN / GaN MOSFET的性能
机译:使用高2DEG密度的AlGaN / GaN源极/漏极在硅衬底上的凹栅GaN MOSFET的常关操作
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:使用La2O3高k氧化物栅极绝缘体的alGaN / GaN mOs-HEmT器件性能
机译:利用无缺陷栅极凹陷和激光退火改善alGaN / GaN / si mOsFET的器件性能和可靠性。