退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
刘乃漳; 姚若河; 耿魁伟;
华南理工大学微电子学院 广州 510640;
中新国际联合研究院 广州 510700;
高电子迁移率晶体管; 内部边缘电容; 栅极电容; 模型;
机译:p-GaN栅极AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的栅极可靠性
机译:增强模式p-GaN栅极AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的正向偏置栅极击穿机制
机译:在具有光增强化学和等离子体增强原子层沉积氧化物的倒梯形三栅极AlGaN / GaN MOS高电子迁移率晶体管中,由栅极面积和栅极凹槽控制的阈值电压
机译:栅极溶液AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的电荷传输模型
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:脱位对AlGaN / GaN肖特基二极管的影响以及高电子迁移率晶体管的栅极故障
机译:反向栅极偏压诱导alGaN / GaN高电子迁移率晶体管的退化。
机译:在基于GaN的帽段上具有栅极触点的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的制造方法
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极电极的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT的方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。