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p型NiO栅极对AlGaN/GaN型NiO栅极对AlGaN/GaN HFET阈值电压的调控研究

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热氧化温度决定着NiO材料的晶体结构、电学特性和禁带宽度.本文通过优化热氧化温度,获得了性能良好的p型NiO材料并用于实现常关型AlGaN/GaN HFET.与传统的Ni栅极HFET相比,NiO栅极能有效调控阈值电压和降低栅极漏电流,但是漏极输出电流密度略有降低.结合凹槽结构和NiO栅极成功获得阈值电压为0.5V的常关型GaN HFET器件.

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来源
《第二届全国宽禁带半导体学术会议》||377-378|共2页
会议地点西宁
作者
王文静; 李柳暗; 张佳琳; 何亮; 刘扬;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类
关键词
异质结场效应晶体管; p型氧化镍; 凹槽栅; 热氧化温度; 阈值电压;
入库时间 2022-08-17 11:16:08

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