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张竞; 陈万军; 汪志刚; 魏进; 张波;
电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室;
氮化镓; 异质结场效应晶体管; 增强型; RESURF;
机译:用于高压开关的AlGaN / GaN HFET的动力学模型
机译:耗尽型和增强型AlGaN / GaN器件阈值电压的闭式电荷控制模型
机译:基于物理学的AlGaN / GaN功率HFET场板工程二维分析模型
机译:使用基于物理的紧凑模型对场板增强型AlGaN / GaN HEMT器件进行改进的电荷建模
机译:基于物理的AlGaN / GaN HFET紧凑模型,可在电路模拟器中实现。
机译:Algan / GaN HFET和VO的调查
机译:AlGaN / GaN HFET的鳍和岛隔离以及AlGaN / GaN HFET的漏电流特性随温度变化的模型
机译:中子辐照对alGaN / GaN HFET影响的原位栅极偏置相关研究
机译:增强型和耗尽型AlGaN / GaN HFET的单片集成
机译:AlGaN / GaN HYBRID MOS-HFET
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