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薛舫时;
南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016;
二维异质结构; HFET沟道中的强场峰; 能带剪裁; 极化电荷; 电流崩塌;
机译:使用梯度AlGaN缓冲层研究AlGaN / GaN异质结构中的载流子分布和能带分布
机译:抑制AlGaN和GaN / AlGaN异质结构中深处的缺陷到能带跃迁的光学猝灭
机译:极化效应对AlGaN / GaN / AlGaN异质结构能带的影响
机译:通过古典方法研究了AlGaN / GaN异质结构的能带图和电荷分布
机译:AlGaN / GaN微波功率高迁移率晶体管
机译:使用低Al组成的单个AlGaN层在Si衬底上生长高质量和均匀的AlGaN / GaN异质结构
机译:高质量AlGaN / AlN / GaN和AlInN / AlN / GaN二维电子气异质结构的传输性能比较
机译:用于微波功率应用的宽带转移衬底alGaN-GaN异质结双极晶体管
机译:具有AlGaN / GaN异质结构和异质结构场效应晶体管的半导体衬底
机译:具有Algan / GAN异质结构和异质结构场效应晶体管的半导体基质
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
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