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薛舫时;
单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所;
南京210016;
CF4; 等离子体处理; 能带剪裁; F离子注入和势垒层腐蚀; 肖特基势垒; 欧姆接触; 沟道电场控制; 电流崩塌;
机译:CF4等离子体处理在AlGaN / GaN异质结构中引入深层缺陷的电学研究
机译:CF4 sub>等离子体处理的AlGaN / GaN异质结构界面中氟的积累:实验研究
机译:SF 6 CE:INF>漏电流减少ALGAN / GAN异质结场效应晶体管的等离子体处理
机译:CF4等离子体处理的AlGaN表面上制造的AlGaN / GaN HEMT的电学特性
机译:AlGaN / GaN异质结场效应晶体管的性能和可靠性建模。
机译:氧等离子体处理对采用PECVD SiO2栅极绝缘体的原位SiN / AlGaN / GaN MOSHEMT的影响
机译:AlGaN / GaN异质结构中的温度依赖有效质量的实验证据通过2D等离子体的光谱观察到的AlGaN / GaN异质结构
机译:alGaN / GaN异质结场效应晶体管中的偏置应变及其意义
机译:兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
机译:包含AlGaN / GaN异质结和P掺杂金刚石门的增强型晶体管
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