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机译:使用梯度AlGaN缓冲层研究AlGaN / GaN异质结构中的载流子分布和能带分布
Hebei Univ Technol, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300401, Peoples R China|Sci & Technol Electroopt Informat Secur Control L, Tianjin 300308, Peoples R China;
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Sci & Technol Electroopt Informat Secur Control L, Tianjin 300308, Peoples R China;
AlGaN/GaN; HEMT; graded AlGaN; 2DEG confinement; 2DHG;
机译:AlGaN / GaN /梯度AlGaN∶Si / GaN∶C多异质结构中不同温度下复合2D-3D沟道的陷阱分析
机译:GaN缓冲极化对AlGaN / GaN异质结构电子分布的影响
机译:Si衬底上AlGaN / GaN / AlGaN双异质结构中低温AlGaN中间层的研究
机译:AlGaN-GaN-AlGaN-GaN双异质结构场效应晶体管中的收缩行为和电荷分布
机译:硅薄膜对AlGaN / GaN异质结构表面处理的严格研究。
机译:角分辨X射线光电子能谱研究Al2O3封端的GaN / AlGaN / GaN异质结构的表面极化
机译:使用简单测试结构研究AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的缓冲陷阱
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应