一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构

摘要

本实用新型公开了一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构，包括由下至上层叠设置的衬底、成核层、AlGaN双异质结高阻缓冲层和GaN层：所述AlGaN双异质结高阻缓冲层中包含两个以上的AlGaN异质结结构，其中，每个周期的异质结结构中包括两层AlGaN层，其中一层的厚度范围为100‑1000nm；另一层的厚度范围为1‑99nm。本实用新型能够减小AlGaN层的背景电子浓度和增加电子垂直方向散射从而实现高阻缓冲层的生长，获得高质量的GaN基缓冲层。