利用X射线衍射考察不同缓冲层对AlGaN外延薄膜微结构的影响

林波; 左长明; 周勋

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为了获得高质量的高Al组分AlGaN外延材料,一般是在蓝宝石基片与外延层之间引入缓冲层或模板层(GaN、AlN或两者的交替周期超晶格)来提高AlGaN的外延质量,不同的缓冲层及结构对AlGaN的外延质量产生不同的影响.利用三轴晶高分辨X射线衍射(TAxRD)表征手段对2种生长结构下的AlGaN进行表征分析.

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来源
《分析测试技术与仪器》 |2009年第3期|158-161|共4页
作者
林波; 左长明; 周勋;
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作者单位

电子科技大学微电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;

电子科技大学微电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;

电子科技大学微电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;

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正文语种 chi
中图分类色谱分析;
关键词
AlGaN; 缓冲层/模版层; 三轴晶高分辨X射线衍射(TAxRD);

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