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黄俊; 张宗贤; 黄峰; 魏珂; 刘新宇; 郝跃; 张进诚;
海峡西岸(云霄)光电产品检测研发中心,漳州363300;
中国科学院微电子研究所,北京100029;
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安710071;
AlGaN/GaN; 凹栅槽; AlN; MISHEMT;
机译:采用凹入式AlGaN / GaN开放栅结构增强了对NO_2的检测
机译:具有再生欧姆结构的Al_2O_3 / Si_3N_4绝缘栅掺杂AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管:具有高跨导的低栅漏电流
机译:超薄Al_2O_3 / Si_3N_4双层AlGaN / GaN绝缘栅异质结构场效应晶体管中栅电流泄漏优异抑制效果的机理
机译:反向偏置退火对具有凹栅结构的AlGaN / GaN MIS-HEMT性能的影响
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:具有薄AlGaN势垒层的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的Al2O3绝缘栅结构
机译:Ni栅alGaN / GaN高电子迁移率晶体管的场致缺陷形貌。
机译:MIS栅结构型HEMT器件的制造方法和MIS栅结构型HEMT器件
机译:具有与c-AlGaN覆盖层绝缘的栅电极的常关立方相GaN(c-GaN)HEMT
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
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