机译:超薄Al_2O_3 / Si_3N_4双层AlGaN / GaN绝缘栅异质结构场效应晶体管中栅电流泄漏优异抑制效果的机理
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;
gate current leakage; current tunneling; thin surface barrier model; metal-insulator-semiconductor; field-effect transistor; Al_2O_3/Si_3N_4 dielectric layer;
机译:AI_2O_3 / Si_3N_4双层AIGaN / GaN绝缘栅异质结构场效应晶体管中栅极电流泄漏的优异抑制
机译:具有再生欧姆结构的Al_2O_3 / Si_3N_4绝缘栅掺杂AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管:具有高跨导的低栅漏电流
机译:具有超薄Al_2O_3 / Si_3N_4双层和Si_3N_4单层的AlGaN / GaN绝缘栅异质结构场效应晶体管的比较
机译:绝缘门III-N异质结构场效应晶体管的栅极电流建模
机译:绝缘亚微米栅极III-N异质结构场效应晶体管的射频特性。
机译:自对准栅AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的氮化钛的合成
机译:用于抑制AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中栅极漏电流的AlGaN表面控制工艺
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制