机译:漏极静态电压对脉冲RF模式下AlGaN / GaN HEMT器件老化的影响
机译:在S波段脉冲RF工作寿命中比较了AlGaN / GaN HEMT上的深AB类和B类深时效
机译:用于雷达应用的AlGaN / GaN HEMT器件的S波段脉冲RF工作寿命测试
机译:考虑高漏极偏置电压RF老化的基于可靠性的AlGaN / GaN HEMT模型
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:闸门脉冲诱导界面陷阱行为的研究及其与AlGan / Gan-on-Si Mis-Hemts中阈值电压不稳定性的关系