调制掺杂对AlGaN/GaN HEMT材料电学性能的影响

摘要

利用范德堡Hall方法和汞探针C-V方法,研究了不同Si调制掺杂浓度对AlGaN/GaNHEMT材料电学性质的影响。发现Si掺杂可以改善材料电学性能,二维电子气(2DEG)面密度和方块电阻(nS×μ)可以通过Si调制掺杂精确控制。当Si掺杂浓度为3×1018cm-3时,得到了最低的方块电阻360Ω/□。尽管受到高浓度电子和离化杂质对二维电子气的散射影响,迁移率仍可达1220cm2/(V.s)。分析了范德堡Hall方法和汞探针C-V方法的差别,同时测得材料的阈值电压也在合理范围。