机译:高性能NO2气体传感器,基于PD-AlGaN / GaN高电子移动晶体管,具有薄的AlGaN屏障
机译:正向栅极偏置应力对台面隔离GaN HEMT噪声性能的影响
机译:在150mm硅衬底上使用盖栅的横向AlGaN / GaN HEMT的性能优化
机译:栅极偏置电压对ET和AET 10 W GaN HEMT PA线性性能影响的研究
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:在未掺杂的AlGaN / GaN HEMT结构上制造的门控pH传感器
机译:在不使用参比电极的情况下预测和优化基于AlGaN / GaN Hemt的电荷敏感性的方法