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International Conference on IC Design & Technology
International Conference on IC Design & Technology
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1.
3D monolithic integration: Stacking technology and applications
机译:
3D单片集成:堆叠技术和应用
作者:
Radu Ionut
;
Bich-Yen Nguyen
;
Gaudin Gweltaz
;
Mazure Carlos
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
3D monolithic;
Front End integration;
wafer stacking;
2.
Nonparabolicity and confinement effects of IIIV materials in novel transistors
机译:
IIIV材料在新型晶体管中的非抛物线效应和约束效应
作者:
Pourghaderi M. Ali
;
Mocuta Anda
;
Thean Aaron
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
3.
A 6T-SRAM in 28nm FDSOI technology with Vmin of 0.52V using assisted read and write operation
机译:
采用辅助读写操作的28nm FDSOI技术的6T-SRAM,Vmin为0.52V
作者:
Kumar Ashish
;
Kumar Vinay
;
Janardan Dhori Kedar
;
Visweswaran G.S.
;
Saha Kaushik
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Low power;
SRAM;
low Vmin;
low voltage;
read assist. SNM;
write assist;
write margin;
4.
A high-speed 2×VDD output buffer with PVTL detection using 40-nm CMOS technology
机译:
高速2×VDD输出缓冲器,采用40nm CMOS技术进行PVTL检测
作者:
Chua-Chin Wang
;
Tsung-Yi Tsai
;
Wei Lin
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
I/O buffer;
PVTL variation;
gate-oxide reliability;
mixed-voltage tolerant;
slew rate compensation;
5.
Design of a low-power fixed-point 16-bit digital signal processor using 65nm SOTB process
机译:
采用65nm SOTB工艺的低功耗定点16位数字信号处理器的设计
作者:
Duc-Hung Le
;
Sugii Nobuyuki
;
Kamohara Shiro
;
Xuan-Thuan Nguyen
;
Ishibashi Koichiro
;
Pham Cong-Kha
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
DSP;
Fixed-point;
Low-power;
SOTB;
6.
Countering early propagation and routing imbalance of DPL designs in a tree-based FPGA
机译:
在基于树的FPGA中解决DPL设计的早期传播和路由不平衡问题
作者:
Amouri Emna
;
Bhasin Shivam
;
Mathieu Yves
;
Graba Tarik
;
Danger Jean-Luc
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Dual-rail Precharge Logic (DPL);
FPGA;
Side Channel Attacks;
placement;
routing;
7.
Optimal design to maximize efficiency of single-inductor multiple-output buck converters in discontinuous conduction mode for IoT applications
机译:
优化设计以在物联网应用的不连续传导模式下最大化单电感器多输出降压转换器的效率
作者:
Yamauchi Yoshitaka
;
Yanagihara Yuki
;
Fuketa Hiroshi
;
Sakurai Takayasu
;
Takamiya Makoto
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
buck converter;
discontinuous conduction mode;
single-inductor multiple-output;
8.
Plasma induced damage investigation in the fully depleted SOI technology
机译:
完全耗尽的SOI技术中的等离子体诱发损伤研究
作者:
Akbal M.
;
Ribes G.
;
Guillermet M.
;
Vallier L.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Fully Depleted silicon-on-insulator (FDSOI) technology;
Plasma induced damage (PID);
Plasma non-uniformity;
9.
Preliminary 3D TCAD electro-thermal simulations of BIMOS transistor in thin silicon film for ESD protection in FDSOI UTBB CMOS technology
机译:
FDSOI UTBB CMOS技术中用于ESD保护的薄膜中BIMOS晶体管的3D TCAD初步电热模拟
作者:
Athanasiou S.
;
Cristoloveanu S.
;
Galy Ph
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
BIMOS transistor;
CMOS;
ESD protection;
FDSOI;
10.
NEMS switches: Opportunities and challenges in emerging IC technologies
机译:
NEMS交换机:新兴IC技术的机遇与挑战
作者:
Feng Philip X.-L
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
3D integration;
NEMS-CMOS integration;
leakage current;
logic switch;
nanoFET;
nanoelectromechanical systems (NEMS);
power consumption;
relay;
subthreshold swing;
11.
Plasma-induced photon irradiation damage on low-k dielectrics enhanced by Cu-line layout
机译:
铜线布局增强了等离子体对低k电介质的光子辐照损伤
作者:
Ikeda Taro
;
Tanihara Akira
;
Yamamoto Nobuhiko
;
Kasai Shigeru
;
Eriguchi Koji
;
Ono Kouichi
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Cu;
layout;
low-k;
near-field;
plasma damage;
12.
Simple wafer stacking 3D-FPGA architecture
机译:
简单的晶圆堆叠3D-FPGA架构
作者:
Amagasaki Motoki
;
Qian Zhao
;
Iida Masahiro
;
Kuga Morihiro
;
Sueyoshi Toshinori
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
13.
Design technology co-optimization for enabling 5nm gate-all-around nanowire 6T SRAM
机译:
共同优化设计技术,以实现5nm全方位栅极纳米线6T SRAM
作者:
Trong Huynh-Bao
;
Sakhare Sushil
;
Ryckaert Julien
;
Yakimets Dmitry
;
Mercha Abdelkarim
;
Verkest Diederik
;
Thean Aaron Voon-Yew
;
Wambacq Piet
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
5nm;
6T SRAM;
CMOS scaling;
DTCO;
Vmin;
embedded memory;
gate-all-around FETs;
nanowire;
on-chip variation;
parametric yield;
vertical FET;
14.
Area and routing efficiency of SWD circuits compared to advanced CMOS
机译:
与高级CMOS相比,SWD电路的面积和布线效率
作者:
Zografos Odysseas
;
Raghavan Praveen
;
Sherazi Yasser
;
Vaysset Adrien
;
Ciubatoru Florin
;
Soree Bart
;
Lauwereins Rudy
;
Radu Iuliana
;
Thean Aaron
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
15.
Assessment of SiGe quantum well transistors for DRAM peripheral applications
机译:
评估用于DRAM外围应用的SiGe量子阱晶体管
作者:
Ritzenthaler R.
;
Schram T.
;
Eneman G.
;
Mocuta A.
;
Horiguchi N.
;
Thean A.V.-Y.
;
Spessot A.
;
Aoulaiche M.
;
Fazan P.
;
Noh K.B.
;
Son Y.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
DRAM;
DRAM periphery circuitry;
Junction leakage;
Low Power applications;
SiGe channels;
16.
Characterization of onset tunneling voltage (V
onset
) walkout in high-voltage deep trench isolation on SOI
机译:
SOI上的高压深沟槽隔离中的隧穿电压(V
onset inf>)罢工的特征
作者:
Thuy Dao
;
Mu-Ling Ger
;
Jiangkai Zuo
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
17.
Current pulse generator for multilevel cell programming of innovative PCM
机译:
用于创新PCM的多级单元编程的电流脉冲发生器
作者:
Kiouseloglou Athanasios
;
Navarro Gabriele
;
Cabrini Alessandro
;
Torelli Guido
;
Perniola Luca
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
18.
Deadspace-aware Power/Ground TSV planning in 3D floorplanning
机译:
3D平面规划中的可识别死区的电源/地面TSV规划
作者:
Shengcheng Wang
;
Firouzi Farshed
;
Oboril Fabian
;
Tahoori Mehdi B.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
19.
Dimensioning for power and performance under 10nm: The limits of FinFETs scaling
机译:
10nm以下功率和性能的尺寸确定:FinFET缩放的极限
作者:
Bardon M. Garcia
;
Schuddinck P.
;
Raghavan P.
;
Jang D.
;
Yakimets D.
;
Mercha A.
;
Verkest D.
;
Thean A.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
FinFETs;
design technology co-optimization (DTCO);
scaling;
20.
ESD protection diodes in optical interposer technology
机译:
光学插入器技术中的ESD保护二极管
作者:
Boschke Roman
;
Groeseneken Guido
;
Scholz Mirko
;
Shih-Hung Chen
;
Hellings Geert
;
Verheyen Peter
;
Linten Dimitri
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
21.
Evaluation of 32-Bit carry-look-ahead adder circuit with hybrid tunneling FET and FinFET devices
机译:
使用混合隧道FET和FinFET器件评估32位超前进位加法器电路
作者:
Tse-Ching Wu
;
Chien-Ju Chen
;
Yin-Nien Chen
;
Hu Vita Pi-Ho
;
Pin Su
;
Ching-Te Chuang
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
22.
FinFET stressor efficiency on alternative wafer and channel orientations for the 14 nm node and below
机译:
14nm及以下节点的替代晶圆和通道方向上的FinFET应力源效率
作者:
Eneman G.
;
De Keersgieter A.
;
Mocuta A.
;
Collaert N.
;
Thean A.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
FinFETs;
Strain-Relaxed Buffers;
TCAD;
strain;
stress;
23.
High-speed analog-to-digital converters in downscaled CMOS
机译:
缩小型CMOS中的高速模数转换器
作者:
Spagnolo Annachiara
;
Verbruggen Bob
;
DAmico Stefano
;
Wambacq Piet
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
24.
I/O thick oxide device integration using Diffusion and Gate Replacement (DGR) gate stack integration
机译:
使用扩散和栅极替换(D&GR)栅极堆叠集成的I / O厚氧化物器件集成
作者:
Ritzenthaler R.
;
Schram T.
;
Cho M.J.
;
Mocuta A.
;
Horiguchi N.
;
Thean A.V.-Y.
;
Spessot A.
;
Caillat C.
;
Aoulaiche M.
;
Fazan P.
;
Noh K.B.
;
Son Y.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Al;
O;
capping layers;
DRAM periphery transistors;
Diffusion and Gate Replacement (DGR);
High-k;
I/O devices;
Metal gate;
Mg capping layers;
25.
Impact of device and interconnect process variability on clock distribution
机译:
设备和互连过程可变性对时钟分配的影响
作者:
Fievet Nathalie
;
Raghavan Praveen
;
Baert Rogier
;
Robert Frederic
;
Mercha Abdelkarim
;
Verkest Diederik
;
Thean Aaron
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
clock network;
clock skew;
h-trees;
multiple litho-etch;
process variations;
self-aligned double patterning (SADP);
26.
Impact of fin shape variability on device performance towards 10nm node
机译:
鳍片形状变异性对10nm节点器件性能的影响
作者:
Tomida Kazuyuki
;
Hiraga Keizo
;
Dehan Morin
;
Hellings Geert
;
Jang Doyoung
;
Miyaguhi Kenichi
;
Chiarella Thomas
;
Kim Minsoo
;
Mocuta Anda
;
Horiguchi Naoto
;
Mercha Abdelkarim
;
Verkest Diederik
;
Thean Aaron
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
10nm;
14nm;
Compact Model;
FinFET;
Monte-Carlo;
TCAD;
short channel effect;
variability;
27.
Impact of local interconnects on ESD design
机译:
本地互连对ESD设计的影响
作者:
Scholz Mirko
;
Shih-Hung Chen
;
Hellings Geert
;
Linten Dimitri
;
Boschke Roman
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
CMOS;
ESD design;
VLSI;
component-level ESD;
interconnects;
reliability;
28.
Impact of random telegraph noise on ring oscillators evaluated by circuit-level simulations
机译:
通过电路级仿真评估随机电报噪声对环形振荡器的影响
作者:
Oshima Azusa
;
Weckx Pieter
;
Kaczer Ben
;
Kobayashi Kazutoshi
;
Matsumoto Takashi
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Random Telegraph Noise;
Reliability;
Ring Oscillator;
Variability;
29.
Impact of time-dependent variability on the yield and performance of 6T SRAM cells in an advanced HK/MG technology
机译:
时变对先进HK / MG技术中6T SRAM单元产量和性能的影响
作者:
Weckx P.
;
Kaczer B.
;
Roussel Ph J.
;
Catthoor F.
;
Groeseneken G.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Bias temperature instability;
SRAM;
high sigma;
time dependent variability;
30.
Integrated front-end/back-end simulation of electromagnetic fields, Lorentz force effects and fast current surges in microelectronic protection devices
机译:
微电子保护设备中电磁场,洛伦兹力效应和快速电涌的集成前端/后端仿真
作者:
Schoenmaker Wim
;
Galy Philippe
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
31.
Lateral NWFET optimization for beyond 7nm nodes
机译:
横向NWFET优化超过7nm节点
作者:
Yakimets D.
;
Jang D.
;
Raghavan P.
;
Eneman G.
;
Mertens H.
;
Schuddinck P.
;
Mallik A.
;
Bardon M. Garcia
;
Collaert N.
;
Mercha A.
;
Verkest D.
;
Thean A.
;
De Meyer K.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Lateral gate-all-around FET;
design technology co-optimization (DTCO);
nanowire;
scaling;
32.
Low Standby Power Capacitively Coupled Sense Amplifier for wide voltage range operation of dual rail SRAMs
机译:
低待机功率电容耦合读出放大器,可在双轨SRAM的宽电压范围内工作
作者:
Grover Anuj
;
Kumar Promod
;
Daud Mohammad
;
Visweswaran G.S.
;
Parthasarathy Chittoor
;
Noel Jean-Philippe
;
Turgis David
;
Giraud Bastien
;
Moritz Guillaume
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
DVFS;
Dual Rail SRAMs;
Sense Amplifier;
Wide Voltage Range;
33.
Low-phase noise variation VCO implementing resistorless digitally controlled varactor
机译:
低相位噪声变化VCO实现无电阻数控变容二极管
作者:
Aqeeli Mohammed
;
Alburaikan Abdullah
;
Xianjun Huang
;
Zhirun Hu
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
CMOS;
VCO gain;
figure of merit;
phase noise variation;
tuning range;
34.
Metallization scheme optimization of plastic-encapsulated electronic power devices
机译:
塑封电子功率器件的金属化方案优化
作者:
Ackaert Jan
;
Colpaert Tony
;
Malik Aditi
;
Gonzalez Mario
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
interconnects;
interlayerdielectric;
powerdevice;
stress;
35.
Modeling FinFET metal gate stack resistance for 14nm node and beyond
机译:
为14nm及以上节点建模FinFET金属栅极叠层电阻
作者:
Miyaguchi Kenichi
;
Parvais Bertrand
;
Ragnarsson Lars-Ake
;
Wambacq Piet
;
Raghavan Praveen
;
Mercha Abdelkarim
;
Mocuta Anda
;
Verkest Diederik
;
Thean Aaron
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
FinFET;
Modeling;
contact resistance;
gate resistance;
high-k replacement metal gate;
36.
Off-state stress degradation mechanism on advanced p-MOSFETs
机译:
先进的p-MOSFET的关态应力降低机制
作者:
Moonju Cho
;
Spessot Alessio
;
Kaczer Ben
;
Aoulaiche Marc
;
Ritzenthaler Romain
;
Schram Tom
;
Fazan Pierre
;
Horiguchi Naoto
;
Linten Dimitri
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
MOSFETs;
Off State Stress;
Semiconductor device reliability;
high-k metal-gate;
37.
Overview of methods to increase linearity of high-performance ADC
机译:
增强高性能ADC线性度的方法概述
作者:
Hua Fan
;
Kehong Liu
;
Airong Liu
;
Lishan Lv
;
Zhiliang Qiao
;
Qiang Li
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
ΣΔ ADC;
Analog-to-Digital Converter;
Flash;
Pipeline;
successive approximation;
38.
PBTI for N-type tunnel FinFETs
机译:
PBTI用于N型隧道FinFET
作者:
Mizubayashi W.
;
Mori T.
;
Fukuda K.
;
Liu Y.X.
;
Matsukawa T.
;
Ishikawa Y.
;
Endo K.
;
Ouchi S.
;
Tsukada J.
;
Yamauchi H.
;
Morita Y.
;
Migita S.
;
Ota H.
;
Masahara M.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
PBTI;
activation energy;
lifetime prediction;
n-Type tunnel FinFETs;
threshold voltage;
39.
Power measurements and cooling of the DOME 28nm 1.8GHz 24-thread ppc64 μServer compute node
机译:
DOME 28nm 1.8GHz 24线程ppc64μServer计算节点的功率测量和散热
作者:
Luijten Ronald P.
;
Cossale Matteo
;
Clauberg Rolf
;
Doering Andreas
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
DOME;
SKA;
SOC;
embedded systems;
hot-water cooling;
microserver;
packaging;
power-efficiency;
40.
Reliability impact of advanced doping techniques for DRAM peripheral MOSFETs
机译:
先进的掺杂技术对DRAM外围MOSFET的可靠性影响
作者:
Spessot Alessio
;
Ritzenthaler Romain
;
Schram Tom
;
Aoulaiche Marc
;
Cho Moonju
;
Luque Maria Toledano
;
Horiguchi Naoto
;
Fazan Pierre
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
HKMG;
MOSFET;
NBTI;
PBTI;
41.
Selectors for high density crosspoint memory arrays: Design considerations, device implementations and some challenges ahead
机译:
高密度交叉点存储器阵列的选择器:设计考虑,器件实现和未来的挑战
作者:
Govoreanu Bogdan
;
Leqi Zhang
;
Jurczak Malgorzata
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Resistive RAM (RRAM);
bias scheme;
crosspoint memory array;
current drive;
nonlinearity;
selector;
selector variability;
42.
Simple technique for prediction of breakdown voltage of ultrathin gate insulator under ESD testing
机译:
ESD测试中预测超薄栅极绝缘子击穿电压的简单技术
作者:
Mitani Yuichiro
;
Matsuzawa Kazuya
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Anode-hole-injection model;
Breakdown voltage;
ESD;
SiON;
TLP;
43.
Static and dynamic power management in 14nm FDSOI technology
机译:
14nm FDSOI技术中的静态和动态电源管理
作者:
Weber O.
;
Josse E.
;
Mazurier J.
;
Haond M.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
Back bias;
Dynamic Power;
Fully Depleted silicon-on-insulator (FDSOI) technology;
Mismatch;
Static power;
Threshold voltage;
44.
Thermal experimental and modeling analysis of high power 3D packages
机译:
大功率3D封装的热实验和建模分析
作者:
Oprins H.
;
Cherman V.
;
Van der Plas G.
;
Maggioni F.
;
De Vos J.
;
Beyne E.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
3DIC;
high power;
thermal analysis;
thermal measurements;
45.
Through silicon via to FinFET noise coupling in 3-D integrated circuits
机译:
3-D集成电路中的硅通孔到FinFET噪声耦合
作者:
Abadi /A/. Rouhi Najaf
;
Guo W.
;
Sun X.
;
Ben Ali K.
;
Raskin J.P.
;
Rack M.
;
Neve C. Roda
;
Choi M.
;
Moroz V.
;
Van der Plas G.
;
De Wolf I.
;
Beyne E.
;
Absil P.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
3-D integration;
FinFET;
TCAD;
Through Silicon Via;
noise;
46.
Trapping induced parasitic effects in GaN-HEMT for power switching applications
机译:
在GaN-HEMT中陷获引起的寄生效应,用于功率开关应用
作者:
Meneghesso Gaudenzio
;
Meneghini Matteo
;
Zanoni Enrico
;
Vanmeerbeek Piet
;
Moens Peter
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
GaN;
HEMT;
breakdown;
defect;
gallium nitride;
leakage;
transistor;
trapping;
47.
Wide band study of silicon-on-insulator photodiodes on suspended micro-hotplates platforms
机译:
悬浮微热板平台上绝缘体上硅光电二极管的宽带研究
作者:
Andre N.
;
Li G.
;
Gerard P.
;
Poncelet O.
;
Zeng Y.
;
Ali S.Z.
;
Udrea F.
;
Francis L.A.
;
Flandre D.
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
CMOS technologies;
Harsh environment;
Lateral thin-film PIN diode;
Semiconductor photodiode;
Silicon-on-Insulator;
Temperature sensor;
48.
Surface orientation dependence of ion bombardment damage during plasma processing
机译:
等离子体处理过程中离子轰击损伤的表面取向依赖性
作者:
Okada Yukimasa
;
Eriguchi Koji
;
Ono Kouichi
会议名称:
《International Conference on IC Design Technology》
|
2015年
关键词:
capacitance-voltage;
ellipsometry;
plasma-induced physical damage;
surface orientation;
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