FinFETs; Strain-Relaxed Buffers; TCAD; strain; stress;
机译:PVT变化下的FinFET电路模块的延迟/功率建模和优化:观察22nm和14nm技术节点之间的趋势
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机译:7NM技术节点在源/漏应力源中的基于栅极鳍片的应力诱导的变异性研究
机译:FinFET压力效率替代晶片和14 nm节点和下面的频道方向
机译:14纳米FinFET节点的带隙参考设计。
机译:体硅衬底上的新型14nm扇贝形FinFET(S-FinFET)
机译:LDD的电气特性和无LDD的FinFET设备与14个NM技术节点兼容