机译:NBTI对用于逻辑应用的14 nm节点FinFET技术影响的仿真研究:器件降级到电路级交互
机译:在器件几何形状变化下对22 nm以下FinFET技术的电特性进行预测评估
机译:采用14nm FinFET技术的兼容编译器的5.66 Mb / mm〜2 8T 1R1W寄存器文件
机译:通过先进的FinFET器件和电路技术协作来增强14nm节点及更高节点的SRAM性能
机译:14纳米FinFET节点的带隙参考设计。
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动