Rochester Institute of Technology.;
机译:使用体二极管的时间控制和FinFET兼容子带隙基准
机译:可调谐低噪声高PSRR高精度带隙参考,在14 nm FinFET过程中使用堆放长型Cascode技术
机译:7-nm FinFET中的1V带隙基准电压源,具有可编程的温度系数,并且在-45°C至125°C范围内的精度为±0.2%
机译:在16nm FinFET中具有±0.64%未调整精度的低噪声亚带隙基准
机译:总电离剂量和剂量率对(正负)BJT带隙基准的影响
机译:FinFET Cu BEOL工艺中金属间介电层等离子体诱发损伤的测试图案设计
机译:采用32nm FinFET技术的低于1V的带隙基准电压源