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徐季平;
Cadence研发部;
机译:14纳米技术节点FinFET中HCD-和NBTI诱导的超级电场GIDL研究
机译:三星与GF合作提供3D晶体管结构FinFET 14纳米技术
机译:14纳米CMOS技术双栅极SOI FinFET中工艺引起的和统计可变性之间的相互作用
机译:用于14纳米FINFET 1.8 V I / O技术的14-NM FINFET技术的展示足够的BTI可靠性。
机译:14纳米FinFET节点的带隙参考设计。
机译:纳米电子技术在小鼠缺血模型中启用了慢性多峰神经平台
机译:16纳米FinFET技术节点处的多单元软错误
机译:2006年8月16日至19日在印度科钦举行的纳米科学,技术和教育前沿国际研讨会;最终的评论。 2005年10月1日至2007年2月1日
机译:使用经am季铵盐改性的纯化蒙脱石粘土获得聚烯烃的纳米复合材料:1)十六烷基三甲基氯甲烷(HDTM)[(CH3)3(c16h33)n +] Cl-;烷基二甲基苄基氨基(admb)[(CH 3)2(ch2c6h5)r n +] Cl,R =〜2%C10,C12〜50%;或2)氯化物。 〜C14〜C18的24%; 13%和11%的C16;或3)氯化物,烷基二甲基羟乙基氨基(fdhe)[(CH3)2(c18h37)(c2h4oh)N +] Cl-浇铸pol的嵌入过程
机译:碳纳米技术和碳微电子技术的导电材料及其应用
机译:纳米电子技术的低能离子束源
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