サムスンと米GFが協業 3次元トランジスタ構造FinFET使用14ナノ技術提供

摘要

韓国のサムスン電子と、半導体受託生産(ファウンドリ)でTSMCに次いで世界2位の米グローバルファウンドリーズ(GF)は17日、3次元トランジスタ構造のFinFETを用いた14ナメーノトルプロセス技術の提供に関して協業すると発表した。ファウンドリとしては初めて同プロセスを適用したチップの量産を年内に両社が所有する複数工場で開始する。