Multi-cell soft errors at the 16-nm FinFET technology node

机译：16纳米FinFET技术节点处的多单元软错误

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Tam N.; Bhuva B. L.; Massengill L. W.; Ball D.; McCurdy M.; Alles M. L.; Chatterjee I.;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2015
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Multi-Cell Soft Errors at Advanced Technology Nodes [J] . Bhuva B.L., Tam N., Massengill L.W., Nuclear Science, IEEE Transactions on . 2015,第6期

机译：先进技术节点上的多单元软错误
2. Angular Effects of Heavy-Ion Strikes on Single-Event Upset Response of Flip-Flop Designs in 16-nm Bulk FinFET Technology [J] . Hangfang Zhang, Hui Jiang, Thiago R. Assis, Nuclear Science, IEEE Transactions on . 2017,第1期

机译：重离子轰击对16nm体FinFET技术中触发器设计的单事件翻转响应的角度影响
3. Charge-Steering Latch Design in 16 nm FinFET Technology for Improved Soft Error Hardness [J] . Balaji Narasimham, Karthik Chandrasekharan, Jung K. Wang, IEEE Transactions on Nuclear Science . 2017,第1期

机译：采用16 nm FinFET技术的电荷控制锁存器设计，可改善软错误硬度
4. Multi-cell soft errors at the 16-nm FinFET technology node [C] . Tam N., Bhuva B.L., Massengill L.W., IEEE International Reliability Physics Symposium . 2015

机译：16纳米FinFET技术节点处的多单元软错误
5. Static Random-Access Memory Designs Based on Different Finfets at Lower Technology Node (7NM) [D] . Nizam, Athiya . 2019

机译：基于较低技术节点（7nm）的不同FINFET的静态随机存取存储器设计
6. Dynamic pH Sensor with Embedded Calibration Scheme by Advanced CMOS FinFET Technology [O] . Chien-Ping Wang, Ying-Chun Shen, Peng-Chun Liou, 2019

机译：具有嵌入式校准方案的动态pH传感器采用先进的CMOS FinFET技术
7. Evaluation of radiation-induced soft error in majority voters designed in 7 nm FinFET technology [O] . Y.Q. de Aguiar, L. Artola, G. Hubert, 2017

机译：7 NM FinFET技术中多数选民中辐射诱导的软误差评估

Multi-cell soft errors at the 16-nm FinFET technology node

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅