Bias temperature instability; SRAM; high sigma; time dependent variability;
机译:设计参数对45nm技术下的6T和8T SRAM单元的影响
机译:TFET单向性和双极性对6T SRAM单元性能的影响
机译:基于昏昏欲睡的高速缓存方法,基于6T SRAM单元,具有32个NM技术的不同性能参数
机译:时间依赖性变化对高级HK / MG技术中6T SRAM细胞产量和性能的影响
机译:采用高可变性先进CMOS技术的低功耗高性能SRAM设计
机译:气候变异性和适应策略对美国中西部的作物产量和土壤有机碳的影响
机译:TFET单向性和双极性对6T SRAM单元性能的影响
机译:用于高级sEU硬sRam的p阱或N阱CmOs技术