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Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International

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1.A comprehensive solution for ultra-thin oxide reliability issue including a novel explanation of power-law exponent variations

机译：全面解决超薄氧化物可靠性问题的方法，其中包括幂律指数变化的新颖解释
- 作者：Ting-Kuo Kang;Jerry Shieh;Oswin Lo;Ju-Ping Chen;Cheng-Li Lin;Su K.C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
2.A highly reliable NAND structure flash memory capable for low voltage operation

机译：具有低电压操作能力的高度可靠的NAND结构闪存
- 作者：Lin Y.C.;Lai C.S.;Chung S.S.;Yang E.;Pittikoun S.;Tzeng S.-M.;Hsu C.C.-H.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
3.A new model for the post-breakdown conductance of MOS devices based on the generalized diode equation

机译：基于广义二极管方程的MOS器件击穿后电导的新模型
- 作者：Miranda E.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
4.A study of the reliability of mosfets in two stacked thin chips for 3D system in package

机译：封装中用于3D系统的两个堆叠薄芯片中mosfet的可靠性研究
- 作者：Ikeda A.;Sugimoto Y.;Kuwada T.;Kajiwara S.;Fujimura T.;Iwasaki K.;Ogi H.;Hamaguchi K.;Kuriyaki H.;Hattori R.;Kuroki Y.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
5.A voltage acceleration lifetime model to predict post-cycling LTDR characteristics of split-gate flash memories

机译：电压加速寿命模型，用于预测分栅闪存的循环后LTDR特性
- 作者：Ling-Chang Hu;An-Chi Kang;Wu T.I.;Chen E.;Shih J.R.;Chin H.W.;Yao-Feng Lin;Wu K.;Ya-Chin King
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
6.Analysis of electric field distribution and its influence on dielectric failures in asymmetric copper interconnect structures

机译：非对称铜互连结构中的电场分布及其对介电故障的影响分析
- 作者：Lin T.M.Z.;Hsu W.M.;Lee S.Y.;Chin C.C.;Wu K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
7.Breakdown and conduction mechanisms of ALD HfSiON dielectric with TaN gate using carrier separation analysis

机译：TaN栅的ALD HfSiON电介质的击穿和导电机理的载流子分离分析
- 作者：Seek Joo Doh;Jung Hyomig Lee;Jong Pyo Kim;Jong-Ho Lee;Yun-Seok Kim;Ha-Jin Lim;Hyung-Suk Jung;Sung Kee Han;Min Joo Kim;Nae-In Lee;Ho-Kyu Kang;Seong Geon Park;Sang Bom Kang
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
8.Charge trapping by oxygen-related defects in HfO/sub 2/-based high-k gate dielectrics

机译：基于HfO / sub 2 /的高k栅极电介质中与氧有关的缺陷引起的电荷俘获
- 作者：Yamabe;K.;Goto;M.;Higuchi;K.;Uedono;A.;Shiraishi;K.;Miyazaki;S.;Torii;K.;Boero;M.;Chikyow;T.;Yamasaki;S.;Kitajima;H.;Yamada;K.;Arikado;T.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
9.Comparison of hot carrier stress and constant voltage stress in hf-sificate NMOS transistors with poly and TiN gate stack

机译：具有多晶硅和TiN栅堆叠的超高频NMOS晶体管中的热载流子应力和恒定电压应力的比较
- 作者：Sim J.H.;Lee B.H.;Song S.C.;Young C.D.;Choi R.;Harris H.R.;Bersuker G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
10.Comprehensive study of postprocessed copper heat sinks on smart power drivers for thermal SOA improvement

机译：综合研究智能电源驱动器上的后处理铜散热器以改善SOA热
- 作者：Van den bosch G.;Driessens E.;Webers T.;Elattari B.;Wojciechowski D.;Gassot P.;Moens P.;Groeseneken G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
11.Degradation of electromigration lifetime by post-annealing for CU/low-K interconnects

机译：通过CU /低K互连的后退火降低电迁移寿命
- 作者：Kakuhara Y.;Ueno K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
12.Design and characterization of a novel high voltage power supply ESD protection

机译：新型高压电源ESD保护的设计与表征
- 作者：Reynders K.;Moens P.;Wojciechowski D.;Tack M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
13.Design on power-rail esd clamp circuit for 3.3-V I/O interface by using only 1-V/2.5-V low-voltage devices in a 130-NM CMOS process

机译：在130NM CMOS工艺中仅使用1-V / 2.5-V低压器件设计用于3.3-V I / O接口的电源轨esd钳位电路
- 作者：Ming-Dou Ker;Wen-Yi Chen;Kuo-Chum Hsu
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
14.Determination of the acceleration factor between wafer level and package level electromigration test

机译：确定晶圆级和封装级电迁移测试之间的加速因子
- 作者：Federspiel X.;Ney D.;Girault V.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
15.Device degradation model for stacked-ONO gate structure with using sonos and MOS transistors

机译：使用Sonos和MOS晶体管的堆叠式ONO栅极结构的器件退化模型
- 作者：Jeong-Hyong Yi;Jin-Hong Ahn;Hyungeheol Shin;Young-June Park;Hong Shick Min
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
16.Dielectric engineering in nanocrystal memory devices for improved programming dynamics

机译：纳米晶体存储器件中的介电工程可改善编程动力学
- 作者：Jong Jin Lee;Weiping Bai;Dim-Lee Kwong
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
17.Direct observation of trap behaviors during degradation and breakdown evolution in highly stressed SiO/sub 2/ films by conductive atomic force microscopy

机译：通过导电原子力显微镜直接观察高应力SiO / sub 2 /薄膜在降解和击穿演化过程中的陷阱行为
- 作者：Li Zhang;Milani;Y.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
18.Direct tunneling stress-induced leakage current in NMOS devices with ultrathin gate oxides

机译：具有超薄栅极氧化物的NMOS器件中直接隧穿应力引起的漏电流
- 作者：Samanta P.;Tsz Yin Man;Chan A.C.K.;Qingchun Zhang;Chunxiang Zhu;Chan M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
19.Dominant SILC mechanisms in HFO/sub 2/TiN gate nMOS and pMOS transistors

机译：HFO / sub 2 / TiN栅极nMOS和pMOS晶体管中的主要SILC机制
- 作者：Krishnan;S.A.;Peterson;J.J.;Young;C.D.;Brown;G.;Choi;R.;Harris;R.;Sim;J.H.;Zeitzoff;P.;Kirsch;P.;Gutt;J.;Li;H.J.;Matthews;K.;Lee;J.C.;Lee;B.H.;Bersuker;G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
20.Effect of high pressure deuterium annealing on electrical and reliability characteristics of MOSFETs with high-k gate dielectric

机译：高压氘退火对具有高k栅极电介质的MOSFET的电学和可靠性特性的影响
- 作者：Park H.;Rahman M.S.;Chang M.;Lee B.B.;Gardner M.;Young C.D.;Hwang H.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
21.Effect of layout orientation on the performance and reliabiltiy of high voltage N-LDMOS in standard submicron logic STI CMOS process

机译：布局方向对标准亚微米逻辑STI CMOS工艺中高压N-LDMOS性能和可靠性的影响
- 作者：Bin Wang;Hoc Nguyen;Mavoori J.;Horch A.;Yanjun Ma;Humes T.;Paulsen R.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
22.Effect of STI shape and tunneling oxide thinning on cell VTH variation in the flash memory

机译：STI形状和隧穿氧化物变薄对闪存中单元VTH变化的影响
- 作者：JaiDong Lee;JungHwan Kim;Woong Lee;SangHoon Lee;HunYoung Lim;JaeDuk Lee;SeokWoo Nam;HyeonDeok Lee;Chang L. Yong
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
23.Effects of high-k post-deposition cleaning in improving CMOS bias instabilities and mobility: a potential issue in reliability of dual metal gate technology

机译：高k沉积后清洗对改善CMOS偏置不稳定性和迁移率的影响：双金属栅技术可靠性中的潜在问题
- 作者：Akbar M.S.;Moumen N.;Barnet J.;Byoung-Hun Lee;Lee J.C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
24.Effects of optimized nitrogen tailoring in high-k dielectrics on impurity penetration and stress induced device degradation

机译：高k电介质中优化氮调整对杂质渗透和应力诱导的器件降解的影响
- 作者：Kang C.Y.;Rhee S.J.;Choi C.H.;Akvar M.S.;Kim H.-S.;Zhang M.;Lee T.;Ok I.;Zhu F.;Lee J.C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
25.Effects of post metallization annealing on the electrical reliability of ultra-thin HfO/sub 2/ films with MoN and WN gate electrodes

机译：金属化后退火对具有MoN和WN栅电极的超薄HfO / sub 2 /薄膜的电可靠性的影响
- 作者：Chatterjee;S.;Kuo;Y.;Lu;J.;Tewg;J.-Y.;Majhi;P.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
26.Electro-optical reliability characterization of advanced cu/low-k interconnects

机译：先进的cu / low-k互连的电光可靠性表征
- 作者：Guedj C.;Guillaumond J.F.;Modon F.;Arnaud L.;Arnal V.;Reimbold G.;Torres J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
27.ESD protection window targeting using LDMOS-SCR devices with PWELL-NWELL super-junction

机译：使用带有PWELL-NWELL超结的LDMOS-SCR器件的ESD保护窗口定位
- 作者：Vashchenko V.A.;ter Beek M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
28.Exponential dependence of percolation resistance on gate voltage and its impacts on progressive breakdown

机译：渗流电阻对栅极电压的指数依赖性及其对逐步击穿的影响
- 作者：Lo V.L.;Pey K.L.;Tung C.H.;Ang D.S.;Tang L.J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
29.Failure analysis of intermittent pin-to-pin short caused by phosphorous particle in molding compound

机译：模塑料中磷颗粒引起的针脚间断性短路故障分析
- 作者：Wang N.;Wu J.;Daniel S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
30.Failure analysis of pixel shorting problems in polymer light emitting diode (PLED) displays

机译：聚合物发光二极管（OLED）显示器中像素排序问题的故障分析
- 作者：Wu L.;Johnson A.;Kolosov D.;Parker J.;Trujillo J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
31.Fast reliability evaluation of backend dielectrics using lifetime prediction techniques at wafer level

机译：使用晶圆级寿命预测技术对后端电介质进行快速可靠性评估
- 作者：Changsoo Hong;Milor L.;M.Z. Lin;Hsub W.M.;Yong Peng
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
32.Fast WLRC applications in foundry fabrication

机译：快速WLRC在铸造制造中的应用
- 作者：Tseng S.;Chien W.T.K.;Wang W.;Zhao A.;Gong E.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
33.Gate oxide reliability of 4H-SiC MOS devices

机译：4H-SiC MOS器件的栅极氧化物可靠性
- 作者：Krishnaswami S.;Das M.;Hull B.;Sei-Hyung Ryu;Scofield J.;Agarwal A.;Palmour J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
34.Hot carrier effect on CMOS RF amplifiers

机译：CMOS RF放大器的热载流子效应
- 作者：Enjun Xiao
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
35.Hot carrier reliability in GaAs PHEMT MMIC power amplifiers

机译：GaAs PHEMT MMIC功率放大器的热载流子可靠性
- 作者：Chou Y.C.;Gnundbacher R.;Lai R.;Li G.P.;Kan Q.;Yu M.;Callejo L.;Leung D.;Eng D.;Block T.;Oki A.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
36.How much mismatch should be simulated in the high density SRAM sense amplifier design

机译：高密度SRAM读出放大器设计中应模拟多少失配
- 作者：Tao Peng
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
37.Implication of polarity dependence degradation on NMOSFET with polysilicon/Hf-silicate gate stack

机译：多晶硅/ Hf-硅酸盐栅叠层对NMOSFET的极性依赖性降低的影响
- 作者：Choi R.;Lee B.H.;Young C.D.;Sim J.H.;Mathews K.;Bersuker G.;Zeitzoff P.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
38.Influence of diffusion barrier on reliability. Identification of diffusion paths in CU / porous low K interconnect

机译：扩散势垒对可靠性的影响。识别CU /多孔低K互连中的扩散路径
- 作者：Guillaumond J.F.;Arnaud L.;Guedj C.;Arnal V.;Besling W.F.A.;Reimbold G.;Dupeux M.;Torres J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
39.Influence of gate material and stress voltage on post breakdown leakage current of high K dielectrics

机译：栅极材料和应力电压对高K电介质击穿后漏电流的影响
- 作者：Duschl R.;Kerber M.;Schroeder U.;Hecht T.;Jakschik S.;Kapteyn C.;Kudelka S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
40.Investigation into the correlation of wafer sort and reliability yield using electrical stress testing

机译：使用电应力测试研究晶圆分类与可靠性成品率的相关性
- 作者：Flynn A.;Millar S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
41.Investigation of localized breakdown spots in thin SiO/sub 2/ using scanning capacitance microscopy

机译：使用扫描电容显微镜研究薄SiO / sub 2 /中的局部击穿点
- 作者：Wang;S.D.;Chang;M.N.;Chen;C.Y.;Lei;T.F.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
42.Junction leakage induced by silicon dislocation in a 0.13micron logic process

机译：硅位错在0.13微米逻辑工艺中引起的结泄漏
- 作者：Chen R.;Lin J.Y.C.;Dong W.;Guo A.;Liao S.;Niou C.;Chien K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
43.Method for endurance optimization of the HIMOS/sup TM/ flash memory cell

机译：HIMOS / sup TM /闪存单元的耐久性优化方法
- 作者：Yao;T.;Lowe;A.;Vermeulen;T.;Bellafiore;N.;Van Hount;J.;Wellekens;D.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
44.Novel electrical re-connection of very thin fine pitch ball grid array (VFBGA) package for advanced backside fault isolation

机译：新型超薄细间距球栅阵列（VFBGA）封装的新型电气重新连接，可实现高级背面故障隔离
- 作者：Li Qian;Yan Xu;Guobin Song;Xiaoyu Ji
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
45.Novel test strategy for statistical evaluation of defect density and reliability of contacts and VIAS

机译：统计评估触点和VIAS的缺陷密度和可靠性的新型测试策略
- 作者：Cabrini A.;Cantarelli D.;Cappelletti P.;Casiraghi R.;Iezzi D.;Lombardi C.;Maurelli A.;Pasotti M.;Rolandi P.L.;Torelli G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
46.Physical mechanism of high resistance of tungsten plug as a root cause of low yield and reliability issue in deep-sub-micron Si technology

机译：钨塞高电阻的物理机制是深亚微米硅技术中低产量和可靠性问题的根本原因
- 作者：Zhang W.;Tan K.T.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
47.Reliability failures due to charge injection in SOI under high voltage conditions

机译：高压条件下由于SOI中的电荷注入而导致的可靠性故障
- 作者：Bruggers H.J.;Weijland-Emmerik I.M.;Rongen R.T.H.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
48.Significance of including substrate capacitance in the full chip circuit model of ICs under CDM stress

机译：在CDM应力下将基片电容包括在IC的全芯片电路模型中的意义
- 作者：Sowariraj M.S.B.;de Jong P.C.;Salm C.;Smedes T.;Ton Mouthaan A.J.;Kuper F.G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
49.Significant improvement in reliability of HfSiON gate insulator

机译：HfSiON栅极绝缘子的可靠性显着提高
- 作者：Inoue M.;Yugami J.;Fujita F.;Shiga K.;Mizutam M.;Nomura K.;Tsuchimoto J.;Ohno Y.;Yoneda M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
50.Stability of capacitance voltage linearity for high-k MIM capacitor

机译：高k MIM电容器的电容电压线性度稳定性
- 作者：Besset C.;Bruyere S.;Monsieur R.;Boret S.;Deloffre E.;Vincent E.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
51.Study of silicon-nitride induced damage on thin gate oxide

机译：氮化硅对薄栅氧化物的损伤研究
- 作者：Dong W.;Zhou J.;Liao S.;Niou C.;Chien W.T.K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
52.Threshold voltage instability of HFSiO dielectric MOSFET under pulsed stress

机译：脉冲应力作用下HFSiO介质MOSFET的阈值电压不稳定性
- 作者：Choi R.;Harris R.;Lee B.H.;Young C.D.;Sim J.H.;Matthews K.;Pendley M.;Bersuker G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
53.Negative bias temperature instability (NBTI) of bulk FinFETs

机译：体FinFET的负偏置温度不稳定性（NBTI）
- 作者：Sang-Yan Kim;Tai-su Park;Jac-Sung Lee;Donggum Park;Ki-Nam Kim;Jong-Ho Lee
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
54.The effect of mechanical stress from stopping nitride to the reliability of tunnel oxide and data retention characteristics of NAND FLASH memory

机译：停止氮化物的机械应力对隧道氧化物可靠性和NAND FLASH存储器数据保留特性的影响
- 作者：Om J.;Eunseok Choi;Sejun Kim;Heegee Lee;Yongwook Kim;Heenyun Chang;Sungki Park;Gihyun Bae
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
55.A CMOS design style for logic circuit hardening

机译：用于逻辑电路加固的CMOS设计风格
- 作者：Ming Zhang;Shanbhag N.R.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
56.Delay variation mapping induced by dynamic laser stimulation

机译：动态激光刺激引起的时延变化图
- 作者：Sanchez K.;Deplats R.;Beaudoin F.;Perdu P.;Lewis D.;Vedagarbha P.;Woods G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
57.Disorder-controlled-kinetics model for negative bias temperature instability and its experimental verification

机译：负偏压温度不稳定性的失序控制动力学模型及其实验验证
- 作者：Kaczer B.;Arkbipov V.;Degraeve R.;Collaert N.;Groeseneken G.;Goodwin M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
58.ESD induced damage on ultra-thin gate oxide mosfets and its impact on device reliability

机译：ESD引起的超薄栅氧化物MOSFET损坏及其对器件可靠性的影响
- 作者：Cester A.;Gerardin S.;Toli A.;Paccagnella A.;Zanoni E.;Ghidmi G.;Meneghesso G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
59.Impact of mechanical stress on interface trap generation in flash eeproms

机译：机械应力对闪光灯eeproms中界面陷阱生成的影响
- 作者：Toda A.;Fujieda S.;Kanamori K.;Suzuki J.;Kuroyanagi K.;Kodama N.;Yasuhide Den;Nishizaka T.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
60.Impact of via-line contact on CU interconnect electromigration performance

机译：通孔接触对CU互连电迁移性能的影响
- 作者：Baozhen Li;Gill J.;Christiansen C.J.;Sullivan T.D.;McLaughlin P.S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
61.Interaction between electrostatic discharge and electromigration on copper interconnects for advanced CMOS technologies

机译：先进的CMOS技术在铜互连上的静电放电和电迁移之间的相互作用
- 作者：Kontos D.K.;Gauthier R.;loarinou D.E.;Lee T.;Min Woo;Chatty K.;Putnam C.;Muhammad M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
62.Investigation of CVD SiCOH low-k time-dependent dielectric breakdown at 65nm node technology

机译：在65nm节点技术下CVD SiCOH低k时变介电击穿的研究
- 作者：Chen F.;Chanda K.;Gill I.;AngyaI M.;Demarest J.;Sullivan T.;Kontra R.;Shinosky M.;Li J.;Economikos L.;Hoinkis M.;Lane S.;McHerron D.;Inohara M.;Boettcher S.;Dunn D.;Fukasawa M.;Zhang B.C.;Ida K.;Ema T.;Lembach G.;Kumar K.;Lin Y.;Maynard H.;Urata K.;Bolom T.;Inoue K.;Smith J.;Ishikawa Y.;Naujok M.;Ong P.;Sakamoto A.;Hunt D.;Aitken J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
63.New approach of 90nm low-k interconnect evaluation using a voltage ramp dielectric breakdown (VRDB) test

机译：使用电压斜坡电介质击穿（VRDB）测试的90nm低k互连评估新方法
- 作者：Aubel O.;Kiene M.;Yao W.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
64.Novel soft erase and re-fill methods for a P/sup +/-poly gate nitride trapping non-volatile memory device with excellent endurance and retention properties

机译：新型P / sup +/-多晶硅栅氮化物俘获非易失性存储器件的软擦除和重新填充方法，具有出色的耐久性和保持性
- 作者：Hang-Ting Lue;Yen-Hao Shih;Kuang Yen Hsieh;Liu;R.;Chih-Yuan Lu
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
65.Process-induced trapping of charge in PECVD dielectrics for RF MEMS capacitive switches

机译：过程诱导的RF MEMS电容开关PECVD电介质中的电荷俘获
- 作者：Webster J.R.;Dyck C.W.;Nordquist C.D.;Felix J.A.;Shaneyfeft M.R.;Schwank J.R.;Banks J.C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
66.The influence of a silicon dioxide-filled trench isolation structure and implanted sub-collector on latchup robustness

机译：二氧化硅填充的沟槽隔离结构和注入的子集电极对闩锁鲁棒性的影响
- 作者：Voldman S.;Gebreselasic E.;Lanzerotti L.;Larsen T.;Feilchenfeld N.;St. Onge S.;Joseph A.;Dunn J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
67.Change of acceleration behavior of time-dependent dielectric breakdown by the beol process: indications for hydrogen induced transition in dominant degradation mechanism

机译：beol过程随时间变化的介电击穿加速行为的变化：主要降解机理中氢诱导的跃迁的指示
- 作者：Pompl T.;Allers K.-H.;Schwab R.;Hofmann K.;Rochner M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
68.Reliability improvement and burn in optimization through the use of die level predictive modeling

机译：通过使用芯片级预测模型提高可靠性并优化中的性能
- 作者：Riordan W.C.;Miller R.;St. Pierre E.R.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
69.The impact of scaling on interconnect reliability

机译：扩展对互连可靠性的影响
- 作者：Bruynseraede C.;Tokei Zs.;Iacopi F.;Beyer G.P.;Michelon J.;Maex K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
70.Latchup and the domino effect

机译：闩锁和多米诺骨牌效应
- 作者：Voldman S.H.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
71.Biographies

机译：传记
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
72.Accelerating aging failures in MEMS devices

机译：加速MEMS设备的老化故障
- 作者：Tanner D.M.;Walraven J.A.;Dagger M.T.;Parson T.B.;Candelaria S.A.;Jenkins M.W.;Corwin A.D.;Ohlhausen J.A.;Huffman E.M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
73.Advanced failure analysis of circuit-under-pad (CUP) structures in Cu/FSG and Cu/low K technologies

机译：Cu / FSG和Cu / low K技术中的垫下电路（CUP）结构的高级故障分析
- 作者：Human Wu;Archer V.;Merchant S.M.;Cargo J.;Chesire D.;Antol J.;Mengel R.;Osenbach J.;Horvat S.;Peridier C.;White M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
74.Breakdown characteristics of interconnect dielectrics

机译：互连电介质的击穿特性
- 作者：Hasse G.S.;Ogawa E.T.;McPherson J.W.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
75.Characterization of thermoelectric devices in ICs as stimulated by a scanning laser beam

机译：扫描激光束激发的IC中热电器件的特性
- 作者：Giowacki A.;Boit C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
76.Electrical characteristics and reliability of extended drain voltage NMOS devices with multi-RESURF junction

机译：具有多RESURF结的扩展漏极电压NMOS器件的电气特性和可靠性
- 作者：Vashchenko V.A.;Brisbin D.;Linclorfer P.;Chaparala P.;Hopper P.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
77.Evaluation on efficient measurement setup for transient-induced latchup with bi-polar trigger

机译：评估双极性触发瞬变引起的闩锁的有效测量设置
- 作者：Ming-Dou Ker;Sheng-Fu Hsu
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
78.Hot-electron-stress degradation in unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs on SiC

机译：SiC上未钝化GaN / AlGaN / GaN HEMT中的热电子应力退化
- 作者：Meneghesso G.;Pierobon R.;Rampazzo F.;Tamiazzo G.;Zanoni E.;Bernat J.;Kordos P.;Basile A.F.;Chim A.;Verzellesi G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
79.Impact of MOSFET gate-oxide reliability on CMOS operational amplifiers in a 130-nm low-voltage CMOS process

机译：MOSFET栅极氧化物可靠性对130nm低压CMOS工艺中CMOS运算放大器的影响
- 作者：Jung-Sheng Chen;Ming-Dou Ker
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
80.Latch-up in 65nm CMOS technology: a scaling perspective

机译：65nm CMOS技术的闩锁：可扩展的角度
- 作者：Boselli C.;Reddy V.;Duvvury C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
81.Latchup in merged triple well structure

机译：合并三井结构中的闩锁
- 作者：Voldman S.;Gebreselasic E.;Zierak M.;Hershberger D.;Collins D.;Feilchenfeld N.;St. Onge S.;Dunn J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
82.Radiation-induced clock jitter and race

机译：辐射引起的时钟抖动和竞争
- 作者：Seifert N.;Shipley P.;Pant M.D.;Ambrose V.;GiII B.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
83.Study of factors limiting ESD diode performance in 90nm CMOS technologies and beyond

机译：研究限制90nm CMOS技术及以后的ESD二极管性能的因素
- 作者：Chatty K.;Gauthier R.;Putnam C.;Muhammad M.;Woo M.;Li J.;Halbach R.;Seguin C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
84.The dielectric material dependence of stress and stress relaxation on the mechanism of stress-voiding of CU interconnects

机译：应力和应力松弛对介电材料的依赖性对CU互连件应力消除机理的影响
- 作者：Pink J.;Jung-Kyu Jung;Young-Chang Joo
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
85.Thermochernical understanding of dielectric breakdown in HfSiON with current acceleration

机译：HfSiON中介电击穿随电流加速的热化学理解
- 作者：Yamaguchi T.;Hirano I.;Iijima R.;Sekine K.;Takayanagi M.;Eguchi K.;Milani Y.;Fukushima N.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
86.A novel method for accurately estimating alpha-induced soft error rates

机译：一种精确估算由α引起的软错误率的新方法
- 作者：Takasu R.;Tosaka Y.;Fukuda H.;Karaoka Y.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
87.Lifetime study for a poly fuse in a 0.35/spl mu/M polycide CMOS process

机译：0.35 / spl mu / M多晶硅多晶硅CMOS工艺中多晶硅熔丝的寿命研究
- 作者：Fellner;J.;Boesmueller;P.;Reiter;H.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
88.A new drain voltage enhanced NBTI degradation mechanism

机译：新的漏极电压增强型NBTI降解机制
- 作者：Jha N.K.;Reddy P.S.;Rao V.R.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
89.Influence of process parameters and bump geometry on the residual stress distribution in a chip-on-foil bonding process

机译：工艺参数和凸块几何形状对箔上芯片接合工艺中残余应力分布的影响
- 作者：Suter P.;Bauknecht R.;Graf T.;Duran H.;Venter I.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
90.Low frequency noise degradation in ultra-thin oxide (15A/spl deg) analog n-MOSFETs resulting from valence-band tunneling

机译：价带隧穿导致超薄氧化物（15A / spl度）模拟n-MOSFET的低频噪声衰减
- 作者：Wu J.W.;You J.W.;Ma H.C.;Cheng C.C.;Hsu C.F.;Huang G.W.;Chang C.S.;Wang T.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
91.Comparative reliability investigation of different nitride based local charge trapping memory devices

机译：不同基于氮化物的局部电荷陷阱存储器件的比较可靠性研究
- 作者：Breuil L.;Haspeslagh L.;Blomme P.;Lorenzini M.;Wellekens D.;De Vos J.;Van Houdt J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
92.Dynamic analysis and characterization of mems accelerometers by computational and opto-electromechanical methodologies

机译：Mems加速度计的动态分析和表征，采用计算和光电方法
- 作者：Furlong C.;Kok R.;Ferguson C.F.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
93.Electron trapping and interface trap generation in drain extended pMOS transistors

机译：漏极扩展pMOS晶体管中的电子陷阱和界面陷阱生成
- 作者：Moens P.;Bauwens F.;Nelson M.;Tack M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
94.Factors that influence ionic migration on printed wiring boards

机译：影响印刷线路板上离子迁移的因素
- 作者：Reid M.;Punch J.;Rodgers B.;Pomeroy M.;Galkin T.;Stenberg T.;Rusanen O.;Eloren E.;Vilen M.;Vakevainen K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
95.Hot carrier degradation on n-channel HfSiON MOSFETs: effects on the device performance and lifetime

机译：n沟道HfSiON MOSFET上的热载流子退化：对器件性能和寿命的影响
- 作者：Cimino S.;Pantisano L.;AoulaichE M.;Degraeve R.;Kwak D.H.;Crupi F.;Groesencken G.;Paccagella A.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
96.Hot-carrier reliability in submicrometer 40V LDMOS transistors with thick gate oxide

机译：具有厚栅极氧化物的亚微米40V LDMOS晶体管的热载流子可靠性
- 作者：Chen J.F.;Kuo-Ming Wu;Kaung-Wan Lin;Yan-Kuin Su;Hsu S.L.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
97.Identification of new mechanism of epoxy underfill void formation in electronic packages

机译：确定电子封装中环氧树脂底部填充空隙形成的新机制
- 作者：Dal S.L.B.;Zamora N.T.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
98.Impact of buried capping layer on TDDB physics of advanced interconnects

机译：掩盖层对高级互连的TDDB物理的影响
- 作者：Yiang K.Y.;You W.J.;Krishnamoorthy A.;Tang L.J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
99.Impact of plasma induced damage on PMOSFETs Tin/HF silicate stack

机译：等离子体诱导的损伤对PMOSFET锡/氢氟硅酸盐叠层的影响
- 作者：Song S.C.;Bae S.H.;Zhang Z.;Sim J.H.;Sassman B.;Bersuker G.;Zeitzoff P.;Lee B.H.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年
100.Industry study on issues of MEMS reliability and accelerated lifetime testing

机译：有关MEMS可靠性和加速寿命测试的行业研究
- 作者：Fung C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》 | 2005年