首页> 外文会议>Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International >The influence of a silicon dioxide-filled trench isolation structure and implanted sub-collector on latchup robustness
【24h】

The influence of a silicon dioxide-filled trench isolation structure and implanted sub-collector on latchup robustness

机译:二氧化硅填充的沟槽隔离结构和注入的子集电极对闩锁鲁棒性的影响

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