浮空SiO2掺杂埋层以抑制闩锁的新型IGBT结构

摘要

绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有寄生晶闸管.当电流密度超过某个特定的电流密度时可能会发生闭锁.为了增加闩锁电流密度,提出了一种在P基极上具有浮动SiO2掺杂埋层的新型IGBT.通过浮置的SiO2掺杂埋层,使N+发射极下面流动的空穴电流显着减小.因此,触发寄生晶闸管闩锁所需的电流密度增加.数值仿真结果表明,与传统的IGBT相比,在不影响输出和开关特性的情况下,所提出的IGBT可以将闩锁电流密度提高100％以上.