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A voltage acceleration lifetime model to predict post-cycling LTDR characteristics of split-gate flash memories

机译：电压加速寿命模型，用于预测分栅闪存的循环后LTDR特性

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《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》|2005年|P.664-665|共2页
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作者
Ling-Chang Hu; An-Chi Kang; Wu T.I.; Chen E.; Shih J.R.; Chin H.W.; Yao-Feng Lin; Wu K.; Ya-Chin King;
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中图分类工业技术;
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