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李冰寒; 王哲献; 高超; 江红; 索鑫;
上海华虹宏力半导体制造有限公司 上海 201203;
集成电路制造; 分栅; 闪存; 选择栅; 操作条件; 可靠性;
机译:浮栅型鳍片通道双栅和三栅闪存的制备及其电学特性的比较研究
机译:3-D SONOS闪存单元阵列晶体管的编程/擦除效率和保留特性的比较研究:从双栅极FET和FinFET到全栅FET的结构方法
机译:异常的单元间干扰对p型浮栅和控制栅NAND闪存的影响
机译:利用剥离技术制造第一代超级闪存单元及其在浮栅和栅氧化层厚度定标中的性能研究
机译:关于优化分裂栅闪存单元的设计。
机译:抗蛋白质在大鼠脊髓中选择性G蛋白栅的选择性G蛋白门栅的抗血质效应
机译:n通道分栅嵌入式闪存中p型浮栅的编程效率高
机译:后栅等离子体和溅射工艺对金属栅CmOs集成电路辐射硬度的影响
机译:具有浮栅,控制栅,选择栅和在浮栅上具有突出端的擦除栅的分栅非易失性闪存单元,阵列和制造方法
机译:改进的分裂栅非易失性闪存单元,阵列和制造方法,其具有浮栅,控制栅,选择栅和在浮栅上具有突出端的擦除栅
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