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机译:先进的CMOS技术在铜互连上的静电放电和电迁移之间的相互作用
Kontos D.K.; Gauthier R.; loarinou D.E.; Lee T.; Min Woo; Chatty K.; Putnam C.; Muhammad M.;
机译:绝缘体上硅(SOI)CMOS技术中的静电放电(ESD)保护,具有高级微处理器半导体芯片中的铝和铜互连
机译:先进的CMOS互连可靠性评估中用于电迁移磨损报告的晶圆级测试的有效性
机译:双极互补MOSFET(BiCMOS)硅锗技术中的CMOS闩锁和静电放电(ESD)综述:第二部分-闩锁
机译:高级CMOS技术铜互连静电放电与电迁移的相互作用
机译:消除电迁移引起的铜互连技术故障。
机译:铜双镶嵌互连的早期电迁移失败的紧凑模型
机译:用于高级BEOL铜互连的恒压电迁移
机译:使用垂直FIN CMOS技术的静电放电保护
机译:使用垂直鳍式CMOS技术的静电放电保护
机译:应用高压轻掺杂漏极(LDD)CMOS技术的静电放电(ESD)保护
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