机译:具有高k电介质和高功函数金属门的基于氮化物的电荷陷阱存储器件的数据保留特性,用于多千兆位闪存
机译:通过编程/擦除持久性分析NAND闪存中浮栅电荷的移位和生成的隧穿氧化物陷阱电荷分布的新方法
机译:基于氮化物的电荷陷阱闪存(CTF)存储设备中CHEIProgram / HHI擦除循环行为的通道宽度依赖性研究
机译:用于P {SUP} + - 多栅极氮化物捕获非易失性存储器件的新型软擦除和重新填充方法,具有优异的耐久性和保留性能
机译:基于氮化物的局部电荷陷阱非易失性存储器件的阈值电压不稳定性。
机译:以富含Si的SiOX作为电荷陷阱层和铟锡锌氧化物的透明非易失性存储器件的特性
机译:采用宏观极化堆栈的高速和非易失性存储器件,由与工程隧道氧化物阻挡层相互连接的双浮动栅极组成
机译:用氮化siO(2)/ si(100)界面制备的sONOs非易失性存储器堆栈的循环耐久性;电子器件字母