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International Workshop on Junction Technology
International Workshop on Junction Technology
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1.
Perspectives on low-energy ion (and neutral) implantation
机译:
低能量离子(和中性)注入的前景
作者:
Michael I. Current
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Ions;
Ion beams;
Plasmas;
Implants;
Junctions;
Surface treatment;
2.
A novel approach for highly activated p diffusion layer formation in germanium by pre-heating oxygen desorption before ion implantation
机译:
通过在离子注入之前预热氧气脱附,在锗中形成高度活化的p扩散层的新方法
作者:
Tetsuya Igo
;
Takahiro Higuchi
;
Tsutomu Nagayama
;
Takashi Kuroi
;
Nariaki Hamamoto
;
Hideaki Tanimura
;
Hikaru Kawarazaki
;
Takayuki Aoyama
;
Shinichi Kato
;
Ippei Kobayashi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Substrates;
Junctions;
Ion implantation;
Boron;
Ions;
Surface resistance;
3.
Nanometer-deep junctions with high doping concentration for Ge SDEs using solid source doping and flash lamp annealing
机译:
使用固态源掺杂和闪光灯退火对锗SDE进行高掺杂浓度的纳米深结
作者:
Hideaki Tanimura
;
Kazuhiko Fuse
;
Takahiro Yamada
;
Takayuki Aoyama
;
Shinichi Kato
;
Ippei Kobayashi
;
Timothee Blanquart
;
Nadine Collaert
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Annealing;
Junctions;
Phosphorus;
Conferences;
Doping;
Ion implantation;
Solids;
4.
Weak-laser-irradiation-enhanced solid-phase crystallization of GeSn-on-insulator at low-temperature (180°C) — Thickness-dependent high substitutional-Sn-concentration
机译:
绝缘体上GeSn在低温(180°C)下的弱激光辐照增强固相结晶-取决于厚度的高取代Sn浓度
作者:
Takayuki Sugino
;
Kenta Moto
;
Hiroshi Ikenoue
;
Masanobu Miyao
;
Taizoh Sadoh
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Annealing;
Films;
Radiation effects;
Crystallization;
Substrates;
Laser beams;
Programmable logic arrays;
5.
Formation of n-type Ge on insulator by low-temperature Sb-induced layer exchange crystallization
机译:
低温Sb诱导的层交换结晶在绝缘子上形成n型Ge
作者:
Hongmiao Gao
;
Rikuta Aoki
;
Masaya Sasaki
;
Masanobu Miyao
;
Taizoh Sadoh
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Annealing;
Crystallization;
Insulators;
Optical films;
Substrates;
Electron optics;
6.
Ultra-low (1.2×10 Ωcm) p-Si0.55Ge0.45 contact resistivity (ρc) using nanosecond laser anneal for 7nm nodes and beyond
机译:
超低(1.2×10Ωcm)p-Si0.55Ge0.45接触电阻率(ρc),采用纳秒激光退火技术,适用于7nm及以上的节点
作者:
Chih-Yang Chang
;
Fareen Adeni Khaja
;
Kelly E Hollar
;
K. V. Rao
;
Christopher Lazik
;
Miao Jin
;
Hongwen Zhou
;
Raymond Hung
;
Yi-Chiau Huang
;
Hua Chung
;
Abhilash Mayur
;
Namsung Kim
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Implants;
Annealing;
Boron;
Gallium;
Lasers;
Resistance;
Conductivity;
7.
The impact of hetero-junction and oxide-interface traps on the performance of InAs/Si tunnel FETs
机译:
异质结和氧化物界面陷阱对InAs / Si隧道FET性能的影响
作者:
Andreas Schenk
;
Saurabh Sant
;
Kirsten Moselund
;
Heike Riel
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Logic gates;
Tunneling;
Silicon;
Junctions;
Geometry;
8.
2D carrier profiles by SSRM and TCAD for root cause analysis of low Vt PFET
机译:
SSRM和TCAD的2D载流子曲线用于低Vt PFET的根本原因分析
作者:
J. N. Nxumalo
;
Y. Y. Wang
;
R. Krishnasamy
;
A. Katnani
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Immune system;
Electrical resistance measurement;
Resistance;
Junctions;
Two dimensional displays;
Semiconductor device measurement;
Doping profiles;
9.
2-D shallow junction mapping by dual lens electron holography
机译:
双透镜电子全息图二维浅结映射
作者:
Y. Y. Wang
;
J. Nxumalo
;
V. Ontalus
;
R. Krishnasamy
;
A. Katnani
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Junctions;
Lenses;
Holography;
Logic gates;
Spatial resolution;
Electric potential;
Conferences;
10.
Current progress of solid state ionics on information and communication device technology
机译:
固态离子技术在信息和通信设备技术上的最新进展
作者:
Kazuya Terabe
;
Takashi Tsuchiya
;
Tohru Tsuruoka
;
Song-Ju Kim
;
Masakazu Aono
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Nanoscale devices;
Ions;
Solids;
Semiconductor devices;
Conductors;
Performance evaluation;
Charge carrier processes;
11.
Transfer printing of nanostructured membrane with elastomeric stamp and its application to TMDC-based field-effect transistors
机译:
带有弹性压模的纳米结构膜的转移印花及其在基于TMDC的场效应晶体管中的应用
作者:
Takamasa Kawanago
;
Wanjing Du
;
Ryo Ikoma
;
Tomoaki Oba
;
Hiroyuki Takagi
;
Shunri Oda
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Molybdenum;
Sulfur;
Logic gates;
Field effect transistors;
Substrates;
Electrodes;
Annealing;
12.
Resistivity reduction of low-carrier-density sputtered-MoS2 film using fluorine gas
机译:
使用氟气降低低载流子溅射MoS2薄膜的电阻率
作者:
Yasunori Okada
;
Shimpei Yamaguchi
;
Takumi Ohashi
;
Iriya Muneta
;
Kuniyuki Kasushima
;
Kazuo Tsutsui
;
Hitoshi Wakabayashi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Sulfur;
Molybdenum;
Conductivity;
Fluorine;
Transistors;
Conferences;
Doping;
13.
Formation of epitaxial Hf germanide/Ge contacts for Schottky barrier height engineering
机译:
肖特基势垒高度工程的外延Hf锗化物/ Ge触点的形成
作者:
Osamu Nakatsuka
;
Akihiro Suzuki
;
James McVittie
;
Yoshio Nishi
;
Shigeaki Zaima
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Annealing;
X-ray diffraction;
Epitaxial growth;
Hafnium;
X-ray scattering;
Diffraction;
Reflection;
14.
Heavily-doped SOI substrate and transfer printing for charge injection into TMDC layer
机译:
重掺杂SOI衬底并转移印刷以将电荷注入TMDC层
作者:
Ryo Ikoma
;
Takamasa Kawanago
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Field effect transistors;
Logic gates;
Silicon-on-insulator;
Substrates;
Fabrication;
Molybdenum;
Sulfur;
15.
3D-IC technology and reliability challenges
机译:
3D-IC技术和可靠性挑战
作者:
Tetsu Tanaka
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Stress;
Through-silicon vias;
Reliability;
Silicon;
Three-dimensional displays;
DRAM chips;
16.
Characterization of hot N-type plasma doping (PLAD) implantation
机译:
热N型等离子体掺杂(PLAD)注入的特性
作者:
Haoyu Li
;
Deven Raj
;
Y. Jeff Hu
;
Allen McTeer
;
Aseem Srivastava
;
Helen Maynard
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Doping;
Heating systems;
Plasma temperature;
Implants;
Substrates;
17.
Ultra-shallow junction formation on 3D silicon and germanium device structures by ion energy decoupled plasma doping
机译:
通过离子能量解耦等离子体掺杂在3D硅和锗器件结构上形成超浅结
作者:
Y S Kim
;
Hyukjun Kown
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Doping;
Junctions;
Plasmas;
Ions;
Silicon;
Annealing;
Three-dimensional displays;
18.
Conformal SDE doping for FinFETs using an arsenic-doped Sol-Gel Coating (SGC) and Flash Lamp Annealing (FLA)
机译:
使用砷掺杂的溶胶凝胶涂层(SGC)和闪光灯退火(FLA)的FinFET的共形SDE掺杂
作者:
Kazuhiko Fuse
;
Hideaki Tanimura
;
Takayuki Aoyama
;
Shinichi Kato
;
Ippei Kobayashi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Arsenic;
Annealing;
Junctions;
Doping;
Silicon;
FinFETs;
Coatings;
19.
Defect generation in Si substrates during plasma processing: Model prediction and characterization techniques
机译:
等离子体处理过程中硅衬底中的缺陷产生:模型预测和表征技术
作者:
Koji Eriguchi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Plasmas;
Substrates;
Ions;
Plasma measurements;
Semiconductor device measurement;
Predictive models;
20.
Characterization of residual defects in plasma-exposed Si substrates using cathodoluminescence and positron annihilation spectroscopy
机译:
利用阴极发光和正电子an没光谱表征暴露于等离子体的硅衬底中的残留缺陷
作者:
Yoshihiro Sato
;
Satoshi Shibata
;
Ryota Sakaida
;
Koji Eriguchi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Plasmas;
Silicon;
Substrates;
Positrons;
Etching;
Ion implantation;
Junctions;
21.
Pinning Voltage Control of CMOS Image Sensor by Measuring Sheet Resistance at Micro Test Structure in Scribe Line
机译:
通过在抄写生产线的微测试结构上测量薄层电阻来控制CMOS图像传感器的固定电压
作者:
Yotaro Goto
;
Tadashi Yamaguchi
;
Masazumi Matsuura
;
Koji Iizuka
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Electrical resistance measurement;
Probes;
CMOS image sensors;
Metallization;
Ions;
Conferences;
Junctions;
22.
Formation of Mo2C electrodes using stacked sputtering process for thermally stable SiC Schottky barrier diodes
机译:
使用堆叠溅射工艺形成热稳定的SiC肖特基势垒二极管的Mo2C电极
作者:
K. Kakushima
;
T. Suzuki
;
T. Hoshii
;
I. Muneta
;
H. Wakabayashi
;
K. Tsutsui
;
H. Iwai
;
H. Nohira
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Silicon carbide;
Electrodes;
Annealing;
Sputtering;
Schottky diodes;
Tin;
Thermal stability;
23.
Formation of magnesium silicide for source material in Si based tunnel FET by annealing of Mg/Si thin film multi-stacks
机译:
通过对Mg / Si薄膜多叠层进行退火,在Si基隧道FET中形成用于原料的硅化镁
作者:
Yan Wu
;
Kuniyuki Kakushima
;
Yoshihiro Takahashi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Silicides;
Silicon;
Annealing;
Magnesium compounds;
Absorption;
Temperature measurement;
Semiconductor diodes;
24.
Low temperature ohmic contact for p-type GaN using Mg electrodes
机译:
使用Mg电极的p型GaN的低温欧姆接触
作者:
K. Kakushima
;
Y. Ikeuchi
;
T. Hoshii
;
I. Muneta
;
H. Wakabayashi
;
K. Tsutsui
;
H. Iwai
;
T. Kikuchi
;
S. Ishikawa
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Annealing;
Temperature measurement;
Ohmic contacts;
Metals;
Gallium nitride;
Electrodes;
Transmission line measurements;
25.
Ion implantation technique for conductivity control of GaN
机译:
离子注入技术用于GaN电导率控制
作者:
Tetsuo Narita
;
Keita Kataoka
;
Masakazu Kanechika
;
Tetsu Kachi
;
Tsutomu Uesugi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Annealing;
Gallium nitride;
Surface treatment;
Doping;
Silicon compounds;
Substrates;
Junctions;
26.
Co-implantation germanium with laser thermal annealing for the formation of np junction
机译:
共注入锗与激光热退火形成np结
作者:
Nur Nadhirah Rashid
;
Umar Abdul Aziz
;
Siti Rahmah Aid
;
Anthony Centeno
;
Suwa Akira
;
Hiroshi Ikenoue
;
Fang Xie
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Annealing;
Junctions;
Semiconductor lasers;
Measurement by laser beam;
Silicon;
Atomic beams;
Atomic layer deposition;
27.
Solid solubility limited dopant activation of group III dopants (B, Ga In) in Ge targeting sub-7nm node low p+ contact resistance
机译:
固溶度受限的掺杂剂激活Ge靶向7nm以下节点的III族掺杂剂(B,Ga和In)低p +接触电阻
作者:
John Borland
;
Yao-Jen Lee
;
Shang-Shiun Chuang
;
Tseung-Yuen Tseng
;
Chee-Wee Liu
;
Karim Huet
;
Gary Goodman
;
John Marino
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Annealing;
Implants;
Solids;
Gallium;
Very large scale integration;
Junctions;
28.
Ion implant applications to enable advances in semiconductor technologies
机译:
离子注入应用可推动半导体技术的发展
作者:
K. V. Rao
;
Hans van Meer
;
Kyu-Ha Shim
;
Hiro Ito
;
Todd Henry
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Implants;
Ions;
Silicon;
Silicon germanium;
Annealing;
Doping;
Strain;
29.
Sidewall doping mechanism and doping profile tuning on 3D structure by plasma doping
机译:
通过等离子掺杂对3D结构进行侧壁掺杂机理和掺杂轮廓调整
作者:
Cuiyang Wang
;
Jonathan England
;
Hans Gossmann
;
Harold Persing
;
Tim Miller
;
Qi Gao
;
Shan Tang
;
Siamak Salimian
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Doping;
Plasmas;
Semiconductor process modeling;
Three-dimensional displays;
Implants;
Ions;
Sputtering;
30.
Nano-devices with advanced junction engineering and improved energy efficiency
机译:
具有先进的结工程技术并提高了能效的纳米器件
作者:
Adrian M. Ionescu
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2017年
关键词:
Field effect transistors;
Tunneling;
Logic gates;
Switches;
Ions;
Heterojunctions;
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