Annealing; Junctions; Semiconductor lasers; Measurement by laser beam; Silicon; Atomic beams; Atomic layer deposition;
机译:激光退火形成锗中的n(+)/ p结
机译:与传统的尖峰退火溶液共注入以形成45 nm n型金属氧化物半导体超浅结
机译:低温预退火和准分子激光退火形成的锗n + sup> / p浅结,其记录整流比达到记录
机译:具有激光热退火的共注入锗,形成NP结的形成
机译:基于铜-铟-镓-二硒化物的薄膜太阳能电池的脉冲激光退火和快速热退火。
机译:通过快速热退火改善1.3μmInAs / GaAs量子点激光器中的基态调制特性
机译:通过快速热退火预处理的锗掺杂Czochralski硅中热供体的增强形成
机译:脉冲激光退火锗中受激表面极化波散射和光栅形成的时间分辨测量