Annealing; X-ray diffraction; Epitaxial growth; Hafnium; X-ray scattering; Diffraction; Reflection;
机译:在SiO2覆盖的n-Ge上形成锗化镍以降低其肖特基势垒高度
机译:在SiO_2覆盖的n-Ge上形成锗化镍以降低其肖特基势垒高度
机译:锗化诱导的掺杂物离析技术调制镍锗化物肖特基二极管的肖特基势垒高度
机译:肖特基障碍高度工程的外延HF锗/ GE与GE接触的形成
机译:介电偶极子减轻了肖特基势垒高度调整,从而降低了接触电阻。
机译:硅和锗对硅和锗的肖特基势垒高度的面依赖性
机译:si和Ge上硅化物和锗化物肖特基势垒面的面对依赖性