机译:Si和Ge硅化物和锗化物的肖特基障碍高度对肖特基障碍高度的依赖性
机译:在SiO2覆盖的n-Ge上形成锗化镍以降低其肖特基势垒高度
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机译:Pt-锗酸化物和Pt-硅化物肖特基势垒pMOSFET的模拟/ RF性能比较研究
机译:金/(100)砷化镓和金/硅化铂/(100)硅二极管的肖特基势垒高度和弹道电子传输特性的横向变化。
机译:硅和锗对硅和锗的肖特基势垒高度的面依赖性
机译:ER-硅化物/ P-Silicon Junction中肖特基势垒高度的变化