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刘学锋; 李建平; 刘金平; 孙殿照; 孔梅影; 王占国;
中国科学院半导体研究所材料中心;
共格生长; 硅; 硅化锗; 乙硅烷; 分子束外延;
机译:低温分子束外延生长的GeSi / Si(001)异质结构的应变弛豫
机译:在松弛的Si_(0.73)Ge_(0.27)外延层上形成锗锗硅的过程中,SiGe合金中的横向Ge偏析和应变演化
机译:利用升华硅源和气态锗源通过分子束外延生长在Si /蓝宝石上生长的Si_(1-x)Ge_(x)层的结构和表面形态
机译:使用硅烷和锗烷在Si(100)上进行Si_1-xGe_x合金的UHV-CVD异质外延生长
机译:通过气体源分子束外延生长从乙硅烷和双锗烷生长硅(1-x)锗(x)。
机译:纯GeSi和Ge-Si合金过冷熔体中的晶体生长动力学
机译:si过度生长期间的不均匀低温外延击穿 Gesi量子点
机译:si原子层外延使用远程等离子体辅助氢解吸和乙硅烷作为前体。
机译:利用新型GeSi缓冲层在Si衬底上生长GaAs外延层
机译:Si 1-XY Sub> GE X Sub> C Y Sub>和Si 1-Y Sub> C 的外延和多晶生长通过UHV-CVD在Si上形成Y Sub>合金层
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