摘要:随着半导体产业应用需求不断扩大和晶硅原料供应的严重短缺,大尺寸超薄硅片切割技术日益成为缓解这一矛盾的重要途径之一。除了传统的内圆切割和多线切割方法之外,近年来,基于无切削力放电原理的电火花线切割加工方法被引入该技术领域,使得低电阻率掺杂硅片的放电切割成为可能。本文以表面完整性作为突破口,创新采用基于复合工作液的高速走丝电火花电解复合切割方法,对低电阻率(0.01~1Ω·cm)单晶硅片的切割效率、表面质量和切割厚度等技术指标进行了试验研究。试验结果表明,通过合理选择电规准和工作液等相关工艺参数,最大切割效率可达600mm2/min,切割厚度可小于120μm,与低速走丝电火花线切割相比显著减少表面热影响区和有害金属元素残余,为该项技术的进一步推广应用提供了重要的理论和实践参考依据。