稀土半导体属于《中国图书分类法》中的六级类目,该分类相关的期刊文献有64篇,会议文献有31篇,学位文献有78篇等,稀土半导体的主要作者有李伟文、赵新兵、邬震泰,稀土半导体的主要机构有浙江大学硅材料国家重点实验室、湖南大学、东北大学等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: 用金属蒸发真空弧离子注入方法制备了各种稀土金属的硅化物,定义1μA/cm2时的电场为开启电场,发现它们的开启电场在15~20V/μm之间.用电子束对其进行退火...
2.[期刊]
摘要: 利用分子束外延(MBE)技术,在GaAs衬底上生长了高质量的GaAs/GaAsSb超晶格,并通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术对Sb/As交换反应进行研究...
3.[期刊]
摘要: 金属硅化物广泛用于微电子器件中的源、漏、栅极与金属电极间的接触,是制备纳米集成电路的关键材料之一。本文叙述了半导体集成电路用功能金属硅化物的相组成、界面反应和...
4.[期刊]
摘要: 通过台面隔离与注入隔离结合的方法,解决了由于GaN外延材料缓冲层质量差造成的AlGaN/GaN HFET击穿电压低的问题.通过优化的500℃/50s栅退火条件...
5.[期刊]
Dy^(3+),Eu^(3+)共激活单基质Ba_3La(PO_4)_3白光荧光粉的制备与发光性能研究
摘要: 采用高温固相法(SSR)合成Dy^(3+)、Eu^(3+)单激活和共激活单基质Ba_3La(PO_4)_3白光荧光粉。所制备的荧光粉通过X射线衍射(XRD),...
6.[期刊]
InGaAs/InAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响
摘要: 采用变温及时间分辨光致发光谱研究了MBE设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现引入InGaAs盖帽层可以使InAs量子点发光的半高宽减小,且向长波...
7.[期刊]
摘要: 介质中发光中心的自发辐射速率与发光中心处的微观局域电场和介质中的宏观电场的比值相关,从而对环境介质的折射率存在一定的依赖.在虚腔模型和实验模型基础上,提出了一...
8.[期刊]
摘要: 稀土掺杂层状钙钛矿结构的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有居里温度高,自发极化大,耐疲劳性好的特点,适用于制作铁电储存器.由于Bi4Ti3O12铁电薄膜的自发极化...
9.[期刊]
摘要: 介质中发光中心的自发辐射速率与发光中心处的微观局域电场和介质中的宏观电场的比值相关,从而对环境介质的折射率存在一定的依赖。在虚腔模型和实验模型基础上,提出了一...
10.[期刊]
Polarons in Bi12.47Al0.53O19.5
摘要:
11.[期刊]
摘要: 在有机电致发光器件中,载流子的注入和匹配水平直接影响着器件性能.在器件中引入空穴缓冲传输层2T-NATA,能够有效改善阳极与有机层的接触,改变有机层中的势垒分...
12.[期刊]
室温稀磁半导体Zn_(0.90)Ni_(0.1)O纳米棒的制备与表征
摘要: 利用溶胶-凝胶方法制备了Zn_(0.9)Ni_(0.1)O纳米棒.运用X射线衍射分析表明样品中不存在镍及镍的氧化物,镍进入晶格中取代了部分Zn原子的位置.SE...
13.[期刊]
摘要: Dy-doped CdO thin films on glass substrates were prepared by vacuum evaporation...
14.[期刊]
摘要: 在乙二醇中用肼作还原剂还原Ni2+制备镍纳米粒子.用X射线衍射仪测定出产物的相结构,用扫描电子显微镜观察产物的微观结构.根据反应现象和产物的相结构,研究温度、...
15.[期刊]
摘要: 采用高温固相反应法制备了高效橙色荧光粉Sr3-xSiOs:xEu2+.通过X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电镜( SEM)及荧光分光光度计研究了Eu2+含量和...
16.[期刊]
摘要: 通过高温固相法制备了白光LED用Sb3+掺杂的Y1.94-yGdSbyAl5O12∶0.06Ce荧光粉,使用荧光分光光度计研究了样品的发光性能,并采用紫外-可...
17.[期刊]
摘要: 以稀土氧化物Y2O3、CrO3、MnO2为原料,采用氧化物法开发出超宽温区(25~1000℃)具有热敏特性,B值在低温段与高温段分段稳定的新型NTC(负温度系...
18.[期刊]
摘要: Taking Rare earth oxide(Y_2O_3,CrO_3,MnO_2)as basis material,using solid-state ...
19.[期刊]
摘要: 利用溶胶-凝胶方法制备不同成分的Zn1-xNixO(x=0.05,0.10,0.15)稀磁半导体材料,产物由直径约70 nm的六边形颗粒组成.利用振动样品磁强...
20.[期刊]
摘要: 介绍了稀土掺杂氮化镓(GaN:RE)的发光机理及其掺杂的方法(热扩散、离子注入和原位掺杂),对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评,综述了近年来国内外稀土掺...
1.[会议]
摘要: 在n型Si(100)基底中注入不同计量的Cu离子,对制得样品的磁性以及影响磁性大小的因素进行研究。研究表明样品中平均每个Cu原子的饱和磁矩随着注入量的增加而减...
2.[会议]
摘要: 锗锡是硅基光电子领域最有潜力的材料之一.锗锡不仅可以通过锡组分来调节带隙和能带结构,实现0~0.8eV的带隙可调和间接带隙与直接带隙能带结构的转变,而且锗锡是...
3.[会议]
摘要: 化合物的导电性包括电子(空穴)导电及离子导电两大部分.新材料的发展已将化合物的电学性质提到了急需研究的位置.随着对化合物电学性质研究的不断深入,发现了许多新现...
4.[会议]
摘要: 首次报道了短波/中波(SW/MW)的HgCdTe红外双色探测器的材料生长、器件制备及其性能.由采用分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p-p-P-N型Hg...
5.[会议]
摘要: 用倒易二维点阵图进行了用溅射CdTe的方法钝化HgCdTe前后晶体结晶度的变化,发现在较高溅射能量下,HgCdTe的晶面出现弯曲,有少量mosaic结构出现,...
6.[会议]
摘要: 测量了4块不同退火条件处理碲锌镉晶片的显微Raman光谱,观察到了与碲锌镉材料及材料中Te沉积晶格振动相对应的Raman散射峰,发现了一个位于327cm<'-...
7.[会议]
摘要: 平均位错密度(EPD)是评价晶体质量的重要指标之一,衬底的位错密度直接影响到外延膜的位错密度,进而影响到器件的性能.
8.[会议]
摘要: 回顾了三种主要外延技术即:LPE、VPE(MOVPE、ISOVPE)和MBE生长的外延HgCdTe薄膜材料在各种不同条件热处理的实验结果,总结了热处理过程对薄...
9.[会议]
摘要: 衬底和外延层之间的晶格失配在碲镉汞材料的外延过程中会引起缺陷的增殖,导致外延材料位错密度的增加,严重的会引入"mosaic"结构,常规检测很难观察到晶体中的"...
10.[会议]
摘要: Hg<,1-x>Cd<,x>Te薄膜是研制红外探测器的重要材料.液相外延方法生长的Hg<,1-x>Cd<,x>Te材料通常存在纵向的组分不均匀性.本文用红外透...
11.[会议]
摘要: 掺稀土GaN发光器件在光电子领域,如在发光器件、平板显示、光纤通讯和光电集成等方面有非常重要的应用,是一种研制已取得重要进展的新型发光器件.本文结合我们的研究...
12.[会议]
摘要: 本文采用变面积结构测试方法获得了长波碲镉汞材料的少子扩散长度.介绍了该方法的理论基础,并根据实验数据计算拟合得到了扩散长度,估算出少子寿命.
13.[会议]
摘要: 应用Raman显微镜测量了5块碲锌镉晶片的显微荧光谱,通过对来自碲锌镉材料带隙的荧光峰进行拟合,得出碲锌镉材料Eg值,从而可以计算出材料的Zn组分值;利用Ra...
14.[会议]
摘要: 综述了国内外研究组关于碲锌镉材料X射线衍射双晶回摆曲线的测量情况,指出了他们给出实验结果的不完善;通过改变在碲锌镉晶片上X射线测量照射光斑的大小测量了两块碲锌...
15.[会议]
摘要: 氢能作为一种清洁、高效、安全、可持续的能源,被视为本世纪最具发展潜力的清洁能源[1].近年来研究表明,一些镧基半导体材料具有光催化分解水产氢的性能,并逐渐成为...
16.[会议]
摘要: 分别合成了Eu3<'+><,->苯甲酸(BA)-丙烯酸(AA)和Eu3<'+><,->苯甲酸(BA)-丙烯酸(AA)-邻菲罗啉(phen)有机稀土配合物,通过...
17.[会议]
沉积温度对Zn0.95Co0.05O稀磁半导体薄膜结构与磁性的影响
摘要: 本文利用磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了Zn0.95Co0.05O薄膜,考察了不同沉积温度对Zn0.95Co0.05O样品的结构与磁性的影响。采用XRD...
18.[会议]
摘要: 利用水热法制备了不同组分的Ni掺杂ZnO(Zn1-xNixO)稀磁半导体材料,通过XRD、FESEM和VSM手段对产物进行了结构、形貌及磁性的分析与测试,探讨...
19.[会议]
摘要: 以稀土氧化物Y2O3、CrO3、MnO2为原料,采用氧化物法开发出超宽温区(25~1000 ℃)具有热敏特性,B值在低温段与高温段分段稳定的新型NTC(负温度...
20.[会议]
摘要: 稀土元素作为光学高新材料的原料宝库,其价值和应用日益受到广泛的关注,稀土元素被称为21世纪的战略元素.本文论述了稀土有机配合物又具有在基质中易掺杂和键合,猝灭...
1.[学位]
摘要: 磁性半导体材料是一种新型的信息材料,它利用电子的电荷和自选特性,兼具半导体和磁性材料的性能,在信息存储、处理以及传输方面起着非常重要的作用。本文所研究的化合物...
2.[学位]
(La,AE)(Ag0.925Mn0.075)SO和(Y,AE)(Cu0.925Mn0.075)SO(AE=Sr,Ba)新型稀磁半导体的研制及PL光谱研究
摘要: 稀磁半导体以其在自旋电子学上潜在的应用价值而受到广泛的关注。近年来,一系列基于“111”,“122”和“1111”相铁基超导体掺杂调控的新型稀磁半导体研制成功...
3.[学位]
摘要: 稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors)是指在Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族、Ⅱ-Ⅴ族或Ⅳ-Ⅵ族化合物中掺入磁性过渡族金属离子或稀土金...
4.[学位]
摘要: 稀释磁性半导体(简称稀磁半导体),是指半导体中的阳离子被过渡金属离子部分无序取代而形成的一种崭新的半导体材料。稀磁半导体将磁性和半导体这两种现代工业技术中非常...
5.[学位]
摘要: 过渡金属化合物由于其独特的d电子而呈现出丰富多彩的物性,如高温超导电性、巨磁阻效应、量子磁性、以及近年来热门的拓扑保护表面态或外尔费米子等等。本论文选题为基于...
6.[学位]
1111-型新型块材稀磁半导体:(La1-yAEy)(Zn1-xMnx)AsO(AE=Ca,Sr,Ba)的制备和物性研究
摘要: 在20世纪90年代,Ⅲ-Ⅴ族(Ga1-xMnx)As薄膜的成功制备把稀磁半导体的研究推向了高潮。但是在(Ga1-xMnx)As的研究中,科研人员遇到了很多困难...
7.[学位]
Fe基In2O3和SiC稀磁半导体薄膜的局域结构与磁、输运性能
摘要: 本论文采用射频磁控溅射法分别制备了不同Fe掺杂浓度的In2O3和SiC稀磁半导体薄膜。利用XRD、SEM、XPS、XAFS、SQUID、HALL、R-T以及U...
8.[学位]
摘要: 稀磁半导体是指磁性过渡金属或稀土金属离子部分取代化合物半导体(通常为AB型)阳离子,从而形成三元或四元的化合物。由于微量的磁性原子的引入,改变了原有的半导体的...
9.[学位]
摘要: 稀磁半导体作为新兴的功能材料,能将电子电荷自由度和自旋自由度结合起来,从而有望实现将数据的处理,传输和存储集中于一种材料,从事使此类应用的半导体材料的成本大大...
10.[学位]
摘要: 自旋电子学是当今凝聚态物理、新材料和信息科学等诸多领域共同关注的研究热点。稀释磁性半导体材料则被认为是最有可能实现自旋电子器件的主导材料。稀磁半导体是指利用V...
11.[学位]
摘要: 白光发光二极管(LED)由于其发光效率高、使用寿命长、环保和安全的优良特性得到了广泛的关注。LED芯片组合荧光粉实现白光是白光LED的主要实现方式,随着紫外L...
12.[学位]
摘要: 作为小分子金属有机化合物光电材料,杂环希夫碱的过渡及稀土金属配合物在光电材料领域有着良好的应用前景,本文设计合成了系列芳杂环希夫碱配体及其过渡和稀土金属配合物...
13.[学位]
摘要: 近些年来,环境污染和能源短缺正在通过大自然特殊的方式督促着人们寻找解决问题的途径。在众多解决环境污染的方法之中,将半导体纳米材料应用于光催化这一方式受到科研工...
14.[学位]
Er3+/Yb3+、Er3+/Ho3+掺杂材料的宽带转光与协同效应
摘要: 随着社会的高速发展,对能源的过度消耗,导致地球上煤炭、石油、天然气等资源迅速的枯竭,寻找到新的可再生能源成为当前人们迫切需要解决的问题。太阳能作为一种清洁、无...
15.[学位]
摘要: 近年来,白光LED由于其无毒、寿命长、高效节能和环境友好的特点,被广泛的应用于液晶显示屏、汽车车灯、景观照明等新兴领域,因而白光LED用发光材料的合成和性质研...
16.[学位]
摘要: 一般来说,微/纳米无机功能材料的组成结构、晶相、形貌、维度等都会对其物理和化学性质产生巨大的影响。因此,对这些因素的合理有效控制可以帮助人们得到具有所预期的物...