Cu注入n-Si稀磁半导体磁性研究

摘要

在n型Si(100)基底中注入不同计量的Cu离子，对制得样品的磁性以及影响磁性大小的因素进行研究。研究表明样品中平均每个Cu原子的饱和磁矩随着注入量的增加而减小，这与样品中Cu金属颗粒的析出有关，样品的磁性是样品的本征性质，来源于Cu离子之间的交换相巨作用。对样品的电学性质进行表征，研究表明样品的导电机理符合Efros-Shklovskii变程跳跃模型，同时对电学性质的研究也在另一方面证实了磁性的来源。