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屠海令; 王磊; 杜军;
北京有色金属研究总院先进电子材料研究所;
金属硅化物; 性质; 检测; 缺陷; 硅技术;
机译:双金属栅极技术,具有金属插入的全硅化物叠层和富镍的全硅化物栅电极,使用单个富镍的全硅化物相用于规模化的高k互补金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:金属半导体和金属硅化物半导体界面的传热中的电子贡献
机译:通过检测光反馈来对集成电路中的半导体和金属部位进行高对比度显微镜检查
机译:使用金属通过热处理制备金属与半导体相转变的板状散装β二硅化物晶体
机译:用于大型集成电路的LPCVD难熔金属/硅化物互连材料的系统研究
机译:电子在金属-半导体和金属硅化物-半导体界面的热传递中的作用
机译:低阻难熔金属硅化物对半导体大规模集成电路(LSI)的高速高性能研究
机译:快速辐射加工制备耐火材料和近贵金属硅化物
机译:公开了一种高熔点金属硅化物靶,其制备方法,高熔点金属硅化物薄膜以及半导体器件。高熔点金属硅化物靶是高熔点金属硅化物薄膜和高熔点金属硅化物薄膜。
机译:集成电路具有分别位于源极/漏极延伸区和源极/漏极区上的一对金属硅化物层,其中位于延伸区上的金属硅化物层的厚度小于其他硅化物层
机译:高熔点金属硅化物靶材和制备相同,高熔点金属硅化物膜和半导体器件的方法。
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