机译:短通道无结对称双栅场效应晶体管中亚阈值电流的半解析模型
Advanced Research Center for Electronic Systems, University of Bologna, Bologna, Italy;
Depletion-mode field-effect transistor (FET); double-gate field-effect transistor (DG FET); drain-induced barrier lowering (DIBL); inverse subthreshold slope (SS); junctionless field-effect transistor (JL FET);
机译:纳米尺度沟道长度对对称双栅结构无结场效应晶体管亚阈值特性影响的建模
机译:基于表面电势的短沟道对称双栅无结晶体管的漏极电流模型
机译:双门金属氧化物半导体场效应晶体管的亚阈值摆动建模和短沟道效应分析
机译:短通道对称双门 - 全周(DGAA)场效应晶体管的分析亚阈值电流模型
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机译:基于充电的长通道对称双栅连接晶体管的连续模型
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