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【2h】

Charge-based continuous model for long-channel Symmetric Double-Gate Junctionless Transistors

机译：基于充电的长通道对称双栅连接晶体管的连续模型

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A. Cerdeira; M. Estrada; B. Iniguez; R.D. Trevisoli; R.T. Doria; M. de Souza; M.A. Pavanello;
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年度 2013
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1. Charge-based continuous model for long-channel Symmetric Double-Gate Junctionless Transistors [J] . A. Cerdeira, M. Estrada, B. Iniguez, Solid-State Electronics . 2013,第jula期

机译：长通道对称双栅无结晶体管的基于电荷的连续模型
2. Analytical models for the electric potential, threshold voltage and drain current of long-channel junctionless double-gate transistors [J] . Ding Z., Hu G., Liu R., Journal of the Korean Physical Society . 2013,第8期

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3. Charge-Based Modeling of Junctionless Double-Gate Field-Effect Transistors [J] . Sallese J.-M., Chevillon N., Lallement C., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2011,第8期

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4. Analytical drain current model for long-channel double-gate negative capacitance junctionless transistors using Landau theory [C] . Chunsheng Jiang, Renrong Liang, Jing Wang, IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits . 2016

机译：基于Landau理论的长沟道双栅负电容无结晶体管的分析漏电流模型
5. Charge-based modeling of heterojunction bipolar transistors for computer-aided design applications. [D] . Ryum, Byung-Ryul. 1990

机译：基于电荷的异质结双极晶体管建模，用于计算机辅助设计应用。
6. Analytical modeling of uniaxial strain effects on the performance of double-gate graphene nanoribbon field-effect transistors [O] . George S Kliros 2014

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7. Negative Capacitance Double-Gate Junctionless FETs: A Charge-Based Modeling Investigation of Swing, Overdrive and Short Channel Effect [O] . Amin Rassekh, Jean-Michel Sallese, Farzan Jazaeri, 2020

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