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章其麟; 关兴国; 刘英斌; 张正德; 张荣桂;
量子阱; 量子势垒; 砷化镓; 铝; MOCVD; 激光器材料;
机译:带有高应变GaInAs量子阱和在MoAs衬底上生长的MoCVD生长的GaAsP补偿层的1190 nm处发射的二极管激光器
机译:MOCVD在精确的Ge / Si(001)衬底上生长的单片集成InGaAs / GaAs / AlGaAs量子阱激光器
机译:通过MOCVD在GaAs衬底上生长的高应变Ga1nAs量子阱激光器,具有补偿的GaAsP层在1190 nm处发射
机译:用MOCVD生长的具有MQB的680 nm可见激光二极管的特性
机译:MOCVD生长的氮化铝铟的综合材料研究和紫外二极管激光器的松弛模板的开发
机译:MOCVD生长的全应变c平面InGaN /(In)GaN多量子阱中极化场强度的降低
机译:带有和不带有外部光注入的量子阱激光器的微波调制
机译:通过mOCVD生长的稀氮化物II型量子阱激光器
机译:InGaN量子阱激光器结构在沟槽下波导层上的MOCVD生长
机译:在台面图案化衬底上外延生长的异质结构半导体激光器的制造方法-使用三甲基甲基镓作为源气体,在台面条纹侧面上通过电流阻挡砷化镓层的外延MOCVD生长
机译:量子阱结构,光学约束型量子阱结构,半导体激光器,分布式反馈半导体激光器,光谱图和量子阱结构的制造方法
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