机译:MOCVD生长的全应变c平面InGaN /(In)GaN多量子阱中极化场强度的降低
机译:在a面和c面GaN上生长的InGaN / GaN多量子阱中铟的掺入特性
机译:在a面和c面GaN上生长的InGaN / GaN多量子阱中铟的掺入特性
机译:AlGaN / GaN紧张层超晶格底层通过MOCVD在Si(111)衬底上生长的基于InGaN的多量子孔
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:条形腔设计蓝宝石衬底上c面InGaN / GaN多量子阱的高偏振光致发光
机译:MOCVD生长的全应变c平面InGaN /(In)GaN多量子阱中极化场强度的降低