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机译:MOCVD生长的全应变c平面InGaN /(In)GaN多量子阱中极化场强度的降低
机译:在a面和c面GaN上生长的InGaN / GaN多量子阱中铟的掺入特性
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机译:在C平面蓝宝石上生长的Ingan / GaN多量子孔的结构和光学性能
机译:AlGaN / GaN紧张层超晶格底层通过MOCVD在Si(111)衬底上生长的基于InGaN的多量子孔
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:MOCVD生长的全应变c平面InGaN /(In)GaN多量子阱中极化场强度的降低
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