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陈伯军;
中国电子学会;
激光器;
机译:使用低温生长的InP盖层在InGaAsP激光器结构中进行量子阱混合
机译:低温生长的InP增强了InGaAsP多量子阱激光器结构中的带隙蓝移
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)完全生长的1.3μm GaInAsP / InP掩埋异质结构渐变折射率分离禁区多量子阱(BH-GRIN-SC-MQW)激光器
机译:通过LP-MOCVD生长的高性能1.3um和1.55um InGaAsP / InP应变层量子阱激光器
机译:改进了用于长波长InGaAlAs / InP激光器的限制结构和量子阱设计。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:LP-MOCVD法生长拉伸应变InGaAs / InP的多量子阱的研究
机译:Lp-mOCVD生长的si衬底上GaInasp-Inp双异质结构激光器
机译:低温生长的InP诱导的InGaAsP结构中的量子阱混合
机译:InGaN量子阱激光器结构在沟槽下波导层上的MOCVD生长
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