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宗磊; 李清山; 李新坤; 张霞; 梁德春; 徐言东;
曲阜师范大学,物理工程学院,山东,曲阜,273165;
鲁东大学,山东,烟台,264025;
曲阜师范大学,激光研究所,山东,曲阜,273165;
脉冲激光沉积; ZnO; AlN; 缓冲层;
机译:通过控制(AlN / GaN)多缓冲层的应变来改善AlN和AlGaN外延层的晶体质量
机译:低温AlN成核层的厚度对通过MOCVD法在双步AlN缓冲层上生长的GaN的材料性能的影响
机译:用于深紫外发光二极管的退火溅射沉积AlN缓冲层上的高质量高透明AlN模板
机译:ALN缓冲层质量对硅衬底上GAN外延层质量的影响
机译:放牧的牧草和大田作物系统中农林业和草木缓冲层对土壤质量的影响。
机译:60-nm厚的AlN缓冲层在n-ZnO / AlN / p-Si中的功能(111)
机译:退火时的高质量和高透明alN模板 溅射沉积的alN缓冲层用于深紫外发光 二极管
机译:在具有纹理化缓冲层的柔性Ni基合金基底上制备高质量YBa2Cu3O(7-δ)厚膜
机译:形成主缓冲层和AlN缓冲层的方法,以及GaN单晶膜和GaN单晶膜的形成方法
机译:AlN晶体,AlN晶体基质,具有磊晶层的AlN晶体基质和半导体装置的表面处理方法
机译:AlN晶体的表面处理方法,AlN晶体基质,具有磊晶层的AlN晶体基质以及半导体器件
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