MOCVD; GaN; AlN buffer layer; Si substrate;
机译:通过控制(AlN / GaN)多缓冲层的应变来改善AlN和AlGaN外延层的晶体质量
机译:通过两步生长AlN缓冲层在Si衬底上生长的高质量无裂纹GaN外延膜
机译:具有SiC缓冲层的n和p型Si(100)衬底对半极性AlN和GaN外延层的生长机理和结构的影响
机译:ALN缓冲层质量对硅衬底上GAN外延层质量的影响
机译:氮化锆/氮化铝缓冲层,用于在硅基板上外延生长(铟,镓)氮化物。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:使用中温/高温双层AlN缓冲液提高Si(111)衬底上GaN的质量