公开/公告号CN104701137B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-15
原文格式PDF
申请/专利权人 华灿光电股份有限公司;
申请/专利号CN201510051801.5
发明设计人 吴志浩;
申请日2015-01-31
分类号
代理机构北京三高永信知识产权代理有限责任公司;
代理人徐立
地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
入库时间 2022-08-23 10:12:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-15
授权
授权
2015-07-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20150131
实质审查的生效
2015-06-10
公开
公开
机译: 在倒装芯片技术中用于生产电路板的半导体芯片具有缓冲体,该缓冲体具有由阻尼材料制成的保护层,该保护层布置在接触表面之间并且在半导体组件结构上方
机译: 形成主缓冲层和AlN缓冲层的方法,以及GaN单晶膜和GaN单晶膜的形成方法
机译: 包括具有缓冲材料的缓冲层和容纳缓冲材料的波形中心材料形成袋的无纺布的制造方法以及制造装置,其包括具有缓冲材料的缓冲层和容纳缓冲材料的波形中心材料形成袋的无纺布。用于无纺布