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郭红霞; 陈雨生; 张义门; 王伟; 赵金龙; 周辉;
西北核技术研究所,陕西西安69信箱13分箱,710024;
西安电子科技大学微电子所,陕西西安,710071;
VDMOS ; 单粒子烧毁; 数值模拟;
机译:线性掺杂缓冲层工程功率VDMOSFET单事件烧毁的仿真研究。
机译:基于局部载流子寿命控制的功率平面VDMOSFET单事件烧毁研究
机译:正常模式下的直流辉光放电的二维数值模拟,并与爱因斯坦的电子扩散率%正常模式下的直流辉光放电的二维数值模拟,并且与爱因斯坦的电子扩散率,二维
机译:SiC VDMOSFET单事件烧毁的研究:失效机理及影响因素
机译:经沟管主动脉瓣置换的数值模拟:一种患者特异性方法,可使临床并发症最小化
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机译:二维电容耦合等离子体刻蚀的二维鞘层数值模拟方法及系统
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