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机译:基于局部载流子寿命控制的功率平面VDMOSFET单事件烧毁研究
College of Information and Communication Engineering, Harbin Engineering University, Harbin, China;
Charge carrier lifetime; Leakage currents; Logic gates; MOSFET; Performance evaluation; Semiconductor optical amplifiers; Threshold voltage; Low carrier lifetime control region (LCLCR); numerical simulation; power vertical double-diffused MOSFET (VDMOSFET); single-event burnout (SEB); single-event burnout (SEB).;
机译:低载流子寿命控制的4H-SiC JBS二极管单事件烧毁研究
机译:平面电源MOSFET的单事件烧坏硬化,部分加宽的沟槽源
机译:IGBT的紧凑模型,具有局部寿命控制,专用于电源电路仿真
机译:控制减少功率设备中载流子寿命的方法
机译:混合自组织/基础架构网络中使用寿命延长,基于功耗的非位置本地化路由。
机译:溴掺杂改善了平面钙钛矿太阳能电池的载流子寿命
机译:高压SiC电源MOSFET中单事件烧坏的离子诱导能量脉冲机制及结屏障肖特基二极管
机译:N沟道功率mOsFET中单事件烧毁的温度依赖性