一种基于SiC载流子寿命调控的贴片式全固态高功率微波源

摘要

本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种基于SiC载流子寿命调控的贴片式全固态高功率微波源，包括半导体晶圆片，晶圆片上集成有光导开关和平面辐射天线，通过将SiC光导开关和平面辐射天线集成在同一SiC晶圆上，而且辐射天线为采用离子注入等工艺基于半绝缘SiC材料制作而成，可实现一个高功率微波源单元为贴片式结构，通过触发激光的皮秒同步，并能实现多个高功率微波源单元的功率合成，基于SiC半导体材料高功率容量的优点，可实现单个贴片式结构的高功率微波源单元输出微波功率达到MW量级，具有极大的推广价值和广阔的应用前景。